IRLML6402
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
∆V
（ BR ） DSS
/∆T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。
-20
–––
–––
–––
-0.40
6.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
TYP 。 MAX 。单位
条件
––– –––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= -250µA
-0.009 --- V / ° C参考到25° C，I
D
= -1mA
0.050 0.065
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -3.7A
Ω
0.080 0.135
V
GS
= -2.5V ，我
D
= -3.1A
-0.55 -0.95
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250µA
––– –––
S
V
DS
= -10V ，我
D
= -3.7A
––– -1.0
V
DS
= -20V, V
GS
= 0V
µA
––– -25
V
DS
= -20V, V
GS
= 0V ，T
J
= 70°C
––– -100
V
GS
= -12V
nA
––– 100
V
GS
= 12V
8.0
12
I
D
= -3.7A
1.2 1.8
NC V
DS
= -10V
2.8 4.2
V
GS
= -5.0V
350 –––
V
DD
= -10V
48 –––
I
D
= -3.7A
ns
588 –––
R
G
= 89Ω
381 –––
R
D
= 2.7Ω
633 –––
V
GS
= 0V
145 –––
pF
V
DS
= -10V
110 –––
ƒ = 1.0MHz的
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
29
11
-1.3
A
-22
-1.2
43
17
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
G
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= -1.0A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= -1.0A
的di / dt = -100A / μs的
D
S
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。
表面安装1"方形单层1盎司铜FR4板，
稳定状态。
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
起始物为
J
= 25℃时，L = 1.65mH
R
G
= 25Ω, I
AS
= -3.7A.
**对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
2
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