IRLML6401 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRLML6401
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	HEXFET功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 142 K
品牌：	IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]

IRLML6401

0.10

RDS （ ON），漏极 - 源极导通电阻（

Ω

)

0.20

VGS = -1.8V

0.15

VGS = -2.5V

RDS （ ON）时，漏 - 源向电压（

Ω

)

0.09

0.08

0.07

0.06

0.05

0.04

0.03

0.02

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

6.0

7.0

0.10

ID = -4.3A

0.05

VGS = -4.5V

0.00

-I D，漏电流（ A）

-VGS ，门-to - 源电压（V ）

图12 。

典型导通电阻比。

栅极电压

图13 。

典型导通电阻比。

漏电流

0.8

-VGS （次）栅极阈值电压（ V）

0.7

0.6

ID = -250μA

0.5

0.4

0.3

-75

-50

-25

100

125

150

T J ，温度（° C）

图14 。

典型的阈值电压 -

结温

www.irf.com

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案