IRLML6401 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRLML6401
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内容描述：	HEXFET功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 142 K
品牌：	IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]

IRLML6401

5.0

，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）

4.0

-1.9A

-3.4A

BOTTOM -4.3A

顶部

-I

，漏电流（ A）

3.0

2.0

1.0

0.0

100

125

150

100

125

150

，外壳温度（ ° C）

起始物为

，结温（

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10 。

最大雪崩能量

与漏电流

1000

热响应（Z

thJA

)

100

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.负载因数D = T

/ t

2.峰值牛逼

= P

X Z

thJA

+ T

0.0001

0.001

0.01

0.1

0.00001

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结到环境

www.irf.com

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