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IRLML6401TR 参数 Datasheet PDF下载

IRLML6401TR图片预览
型号: IRLML6401TR
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内容描述: ?? HEXFET功率MOSFET [HEXFETPower MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小: 9 页 / 147 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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IRLML6401
电气特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
参数
V
( BR ) DSS
漏极至源极击穿电压
∆V
( BR ) DSS
/∆T
J
击穿电压温度。系数
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
-12 ––– –––
V
V
GS
= 0V时,我
D
= -250µA
--- -0.007 --- V / ° C参考到25° C,I
D
= -1mA
––– ––– 0.050
V
GS
= -4.5V ,我
D
= -4.3A
‚
–––
––– 0.085
V
GS
= -2.5V ,我
D
= -2.5A
‚
–––
––– 0.125
V
GS
= -1.8V ,我
D
= -2.0A
‚
-0.40 -0.55 -0.95
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250µA
8.6 ––– –––
S
V
DS
= -10V ,我
D
= -4.3A
––– ––– -1.0
V
DS
= -12V, V
GS
= 0V
µA
––– ––– -25
V
DS
= -9.6V, V
GS
= 0V ,T
J
= 55°C
––– ––– -100
V
GS
= -8.0V
nA
––– ––– 100
V
GS
= 8.0V
––– 10
15
I
D
= -4.3A
––– 1.4 2.1
NC V
DS
= -10V
––– 2.6 3.9
V
GS
= -5.0V‚
––– 11 –––
V
DD
= -6.0V
ns
––– 32 –––
I
D
= -1.0A
––– 250 –––
R
D
= 6.0Ω
––– 210 –––
R
G
= 89Ω
‚
––– 830 –––
V
GS
= 0V
––– 180 –––
pF的V
DS
= -10V
––– 125 –––
ƒ = 1.0MHz的
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
(体二极管)
脉冲源电流
(体二极管)

二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
22
8.0
-1.3
A
-34
-1.2
33
12
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
G
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C,I
S
= -1.3A ,V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C,I
F
= -1.3A
的di / dt = -100A / μs的
‚
D
S
‚
注意事项:

重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。
ƒ
表面安装1"方形单层1盎司铜FR4板,
稳定状态。
‚
脉冲宽度
300μS ;占空比
2%.
„
起始物为
J
= 25℃时,L = 3.5mH
R
G
= 25Ω, I
AS
= -4.3A.
2
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