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    IRLML6401TR 参数 Datasheet PDF下载

    IRLML6401TR图片预览
    型号： IRLML6401TR
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： ?? HEXFET功率MOSFET [HEXFETPower MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
    文件页数/大小： 9 页 / 147 K
    品牌： IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
     浏览型号IRLML6401TR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRLML6401TR的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRLML6401TR的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRLML6401TR的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRLML6401TR的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRLML6401TR的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRLML6401TR的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IRLML6401TR的Datasheet PDF文件第9页  
    PD - 93756D
    IRLML6401
    l
    l
    l
    l
    l
    l
    l
    超低导通电阻
    P沟道MOSFET
    SOT-23封装足迹
    薄型（ <1.1毫米）
    可用磁带和卷轴
    快速开关
    1.8V的额定门
    HEXFET
    ®
    功率MOSFET
    G 1
    V
    DSS
    = -12V
    3 D
    S
    2
    R
    DS （ ON）
    = 0.05Ω
    描述
    从国际整流器这些P沟道MOSFET
    利用先进的加工技术，以实现极
    低导通电阻每硅片面积。这样做的好处，结合
    随着开关速度快和坚固耐用的设备的设计
    这HEXFET
    功率MOSFET是众所周知的，提供了
    设计师用一个非常有效和可靠的设备
    在电池和负载管理中使用。
    增强型散热垫大的引线框架已
    纳入标准SOT-23封装，以产生
    一个HEXFET功率MOSFET，具有业界最小的
    足迹。这个包，被称为MICRO3 ™ ，是理想的
    应用印刷电路板空间受限的
    溢价。该MICRO3的低调（ <1.1毫米）允许它
    很容易在极瘦的应用环境
    例如便携式电子设备和PCMCIA卡。热
    电阻和功耗都是最好的。
    Micro3
    绝对最大额定值
    参数
    V
    DS
    I
    D
    @ T
    A
    = 25°C
    I
    D
    @ T
    A
    = 70°C
    I
    DM
    P
    D
    @T
    A
    = 25°C
    P
    D
    @T
    A
    = 70°C
    E
    AS
    V
    GS
    T
    J,
    T
    英镑
    漏源电压
    连续漏电流， V
    GS
    @ -4.5V
    连续漏电流， V
    GS
    @ -4.5V
    漏电流脉冲
    
    功耗
    功耗
    线性降额因子
    单脉冲雪崩能量？
    栅极 - 源极电压
    结温和存储温度范围
    马克斯。
    -12
    -4.3
    -3.4
    -34
    1.3
    0.8
    0.01
    33
    ± 8.0
    -55到+ 150
    单位
    V
    A
    W
    W / ℃，
    mJ
    V
    °C
    热阻
    参数
    R
    θJA
    最大结点到环境？
    典型值。
    75
    马克斯。
    100
    单位
    ° C / W
    www.irf.com
    1
    04/29/03

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