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IRF7832TRPBF 参数 Datasheet PDF下载

IRF7832TRPBF图片预览
型号: IRF7832TRPBF
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内容描述: ?? HEXFET功率MOSFET [HEXFETPower MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 268 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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IRF7832PbF
RDS ( ON)时,漏 - 源极到导通电阻(M
Ω)
10
ID = 20A
8
EAS ,单脉冲雪崩能量(兆焦耳)
600
500
400
ID
顶部
7.0A
13A
BOTTOM 16A
6
TJ = 125°C
300
4
TJ = 25°C
200
2
100
0
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V GS ,门-to - 源电压(V )
0
25
50
75
100
125
150
开始T J ,结温( ° C)
图12 。
导通电阻比。栅极电压
图13 。
最大雪崩能量
与漏电流
电流调节器
同类型D.U.T.
V
( BR ) DSS
15V
tp
12V
.2µF
司机
50KΩ
.3µF
VDS
L
D.U.T.
RG
20V
VGS
+
V
-
DS
D.U.T
IAS
tp
+
- VDD
A
V
GS
0.01
I
AS
3mA
图14 。
非钳位感应测试电路
和波形
L
D
V
DS
I
G
I
D
电流采样电阻器
图15 。
栅极电荷测试电路
+
V
DD
-
90%
V
DS
D.U.T
V
GS
脉冲宽度和LT ; 1μS
占空比< 0.1 %
10%
V
GS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
图16 。
开关时间测试电路
图17 。
开关时间波形
6
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