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IRF7832TRPBF 参数 Datasheet PDF下载

IRF7832TRPBF图片预览
型号: IRF7832TRPBF
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内容描述: ?? HEXFET功率MOSFET [HEXFETPower MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 268 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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IRF7832PbF
100000
VGS = 0V,
F = 1 MHz的
西塞= C + C ,C短路
GS GD DS
CRSS = C
gd
COSS =硫化镉+ Cgd的
6
ID = 16A
VDS = 24V
VDS = 15V
VGS ,栅 - 源极电压( V)
100
5
4
3
2
1
0
C,电容(pF )
10000
西塞
1000
科斯
CRSS
100
1
10
0
10
20
30
40
50
VDS ,漏极至源极电压( V)
QG总栅极电荷( NC)
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
1000
ISD ,反向漏电流(
Α
)
100
T J = 150℃
10
T J = 25°C
1
ID ,漏极 - 源极电流(A )
100
100µsec
10
1msec
TC = 25°C
TJ = 150℃
单脉冲
1
10
VDS ,漏极至源极电压( V)
0.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
VGS = 0V
1.2
1.4
1.6
1
10msec
100
VSD ,源极到漏极电压(V )
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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