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    IRF7413QPBF_10 参数 Datasheet PDF下载

    IRF7413QPBF_10图片预览
    型号： IRF7413QPBF_10
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： HEXFETPOWERMOSFET [HEXFETPOWERMOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 9 页 / 243 K
    品牌： IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
     浏览型号IRF7413QPBF_10的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRF7413QPBF_10的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF7413QPBF_10的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF7413QPBF_10的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF7413QPBF_10的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF7413QPBF_10的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRF7413QPBF_10的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IRF7413QPBF_10的Datasheet PDF文件第9页  
    IRF7413QPbF
    电气特性@ TJ = 25°C （除非另有说明）
    符号
    V
    （ BR ） DSS
    ∆V
    （ BR ） DSS
    /∆T
    J
    R
    DS （ ON）
    V
    GS （ TH）
    g
    fs
    I
    DSS
    I
    GSS
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    R
    G
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    参数
    漏极至源极击穿电压
    击穿电压温度。系数
    静态漏 - 源极导通电阻
    栅极阈值电压
    正向跨导
    漏极至源极漏电流
    栅 - 源正向漏
    栅 - 源反向漏
    总栅极电荷
    栅极 - 源极充电
    栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
    栅极电阻
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    民
    30
    –––
    –––
    –––
    1.0
    10
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    1.2
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    典型值
    –––
    0.034
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    52
    6.1
    16
    –––
    8.6
    50
    52
    46
    1800
    680
    240
    最大
    –––
    –––
    0.011
    0.018
    3.0
    –––
    12
    25
    -100
    100
    79
    9.2
    23
    3.7
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    单位
    V
    V /°C的
    Ω
    V
    S
    µA
    nA
    条件
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = 250µA
    参考至25℃ ，我
    D
    = 1毫安
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 7.3A
    V
    GS
    = 4.5V ，我
    D
    = 3.7A
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 250µA
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    = 3.7A
    V
    DS
    = 30V, V
    GS
    = 0V
    V
    DS
    = 24V, V
    GS
    = 0V ，T
    J
    = 125°C
    V
    GS
    = -20V
    V
    GS
    = 20V
    I
    D
    = 7.3A
    V
    DS
    = 24V
    V
    GS
    = 10V ，参照图6,9
    f
    f
    nC
    f
    ns
    pF
    V
    DD
    = 15V
    I
    D
    = 7.3A
    R
    G
    = 6.2
    Ω
    R
    G
    = 2.0Ω ，见图。 10
    V
    GS
    = 0V
    V
    DS
    = 25V
    ƒ = 1.0MHz的，见图。五
    f
    源极 - 漏极额定值和特性
    符号
    I
    S
    I
    SM
    V
    SD
    t
    rr
    Q
    rr
    参数
    连续源电流
    （体二极管）
    脉冲源电流
    （体二极管）
    二极管的正向电压
    反向恢复时间
    反向恢复电荷
    分钟。
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    典型值。
    –––
    –––
    –––
    74
    200
    马克斯。
    3.1
    单位
    A
    条件
    MOSFET符号
    展示
    整体反转
    p-n结二极管。
    T
    J
    = 25 ° C，I
    S
    = 7.3A ，V
    GS
    = 0V
    T
    J
    = 25 ° C，I
    F
    = 7.3A
    的di / dt = 100A / μs的
    Ù
    58
    1.0
    110
    300
    V
    ns
    nC
    e
    e
    注意事项：
    
    重复评价;脉冲宽度有限的
    ‚
    起始物为
    J
    = 25℃时，L = 9.8mH
    最大。结温。 （参见图11）
    ƒ
    I
    SD
    ≤
    7.3A ， di / dt的
    ≤
    100A / μs的，V
    DD
    ≤
    V
    （ BR ） DSS
    ,
    T
    J
    ≤
    150°C
    „
    脉冲宽度
    ≤
    300μS ;占空比
    ≤
    2%.
    R
    G
    = 25Ω, I
    AS
    = 7.3A 。 （参见图12）
    …
    表面安装在FR- 4电路板
    †
    R
    θ
    测定在T
    J
    约90℃的
    www.irf.com
    2

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