IRF7413QPBF_10 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF7413QPBF_10
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内容描述：	HEXFETPOWERMOSFET [HEXFETPOWERMOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 243 K
品牌：	IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]

PD - 96112A

IRF7413QPbF

HEXFET

功率MOSFET

先进的工艺技术

超低导通电阻

N沟道MOSFET

表面贴装

可在磁带卷&

150 ° C工作温度

LEAD -FREE

DSS

= 30V

DS （ ON）

= 0.011Ω

顶视图

描述

这些HEXFET

功率MOSFET在SO- 8封装

利用最新的加工技术实现

极低的导通电阻每硅片面积。

这些HEXFET功率MOSFET的附加功能

是一个150 ℃的结的工作温度，快速

开关速度和改进的重复性雪崩

投资评级。这些好处结合起来，使该设计的

极其有效的和为在一个广泛使用的可靠装置

各种应用程序。

高效率的SO -8封装提供了增强的热

特性使其成为理想中的各种力量

应用程序。这种表面安装型SO-8可以大幅

减少电路板空间，也可以在磁带&

卷轴。

SO-8

绝对最大额定值

符号

@ T

= 25°C

@ T

= 70°C

= 25°C

dv / dt的

英镑

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

单脉冲雪崩Energency

峰值二极管恢复的dv / dt

最大

± 20

9.2

2.5

0.02

260

5.0

-55到+150

单位

毫瓦/°C的

V / ns的

°C

结温和存储温度范围

热电阻额定值

符号

θJL

θJA

结到漏极引线

结到环境

参数

典型值

–––

最大

单位

° C / W

www.irf.com

08/09/10

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