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IRF7403_04 参数 Datasheet PDF下载

IRF7403_04图片预览
型号: IRF7403_04
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内容描述: HEXFET功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 231 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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IRF7403PbF
2400
2000
C,电容(pF )
1600
C
国际空间站
C
OSS
1200
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
, C
ds
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
20
I
D
= 4.0A
V
DS
= 24V
16
12
8
800
C
RSS
400
4
0
1
10
100
A
0
0
10
20
30
测试电路
见图12
40
50
60
A
V
DS
,漏极至源极电压( V)
Q
G
,总栅极电荷( NC)
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
100
I
SD
,反向漏电流( A)
在这一领域有限
由R
DS ( ON)
10
I
D
,漏电流( A)
100us
T
J
= 150°C
1
中T = 25℃
J
10
1ms
0.1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
V
GS
= 0V
2.5
A
3.0
1
0.1
T
A
= 25 ° C
T
J
= 150 ° C
单脉冲
1
10
10ms
100
V
SD
,源极到漏极电压(V )
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区