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IRF7403_04 参数 Datasheet PDF下载

IRF7403_04图片预览
型号: IRF7403_04
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内容描述: HEXFET功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 231 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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IRF7403PbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
V
( BR ) DSS
∆V
( BR ) DSS
/∆T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。
30
–––
–––
–––
1.0
8.4
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.024
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
10
37
42
40
2.5
4.0
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时,我
D
= 250µA
--- V / ° C参考到25° C,I
D
= 1毫安
0.022
V
GS
= 10V ,我
D
= 4.0A
ƒ
0.035
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 3.4A
ƒ
–––
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250µA
–––
S
V
DS
= 15V ,我
D
= 4.0A
1.0
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
µA
25
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V ,T
J
= 125°C
100
V
GS
= 20V
nA
-100
V
GS
= -20V
57
I
D
= 4.0A
6.8
NC V
DS
= 24V
18
V
GS
= 10V ,参照图6和12
ƒ
–––
V
DD
= 15V
–––
I
D
= 4.0A
ns
–––
R
G
= 6.0Ω
–––
R
D
= 3.7Ω ,参照图10
ƒ
–––
nH
–––
pF
D
与无铅烙铁头
而中心的模具接触
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
ƒ = 1.0MHz的,见图。五
G
S
––– 1200 –––
––– 450 –––
––– 160 –––
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
(体二极管)
脉冲源电流
(体二极管)

二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
52
93
3.1
A
34
1.0
78
140
V
ns
nC
条件
D
MOSFET符号
展示
G
整体反转
p-n结二极管。
S
T
J
= 25 ° C,I
S
= 2.0A ,V
GS
= 0V
ƒ
T
J
= 25 ° C,I
F
= 4.0A
的di / dt = 100A / μs的
ƒ
固有的导通时间是可以忽略的(导通用L为主
S
+L
D
)
注意事项:

重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 (参见图11)
ƒ
脉冲宽度
300μS ;占空比
2%.
‚
I
SD
4.0A , di / dt的
180A / μs的,V
DD
V
( BR ) DSS
,
T
J
150°C
„
表面安装在FR- 4电路板,T
10sec.