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IRF7343TRPBF 参数 Datasheet PDF下载

IRF7343TRPBF图片预览
型号: IRF7343TRPBF
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内容描述: 第五代技术 [generation v technology]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小: 10 页 / 225 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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IRF7343PbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
参数
V
( BR ) DSS
漏极至源极击穿电压
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N-P
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
分钟。
55
-55
—
—
—
—
—
—
1.0
-1.0
7.9
3.3
—
—
—
—
––
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。马克斯。
—
—
—
—
0.059 —
0.054 —
0.043 0.050
0.056 0.065
0.095 0.105
0.150 0.170
—
—
—
—
—
—
—
—
— 2.0
— -2.0
—
25
— -25
— ±100
24
36
26
38
2.3 3.4
3.0 4.5
7.0 10
8.4 13
8.3 12
14
22
3.2 4.8
10
15
32
48
43
64
13
20
22
32
740 —
690 —
190 —
210 —
71
—
86
—
单位
V
V /°C的
V
S
µA
nA
条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 250µA
V
GS
= 0V时,我
D
= -250µA
参考至25℃ ,我
D
= 1毫安
参考至25℃ ,我
D
= -1mA
V
GS
= 10V ,我
D
= 4.7A
„
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 3.8A
„
V
GS
= -10V ,我
D
= -3.4A
„
V
GS
= -4.5V ,我
D
= -2.7A
„
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250µA
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250µA
V
DS
= 10V ,我
D
= 4.5A
„
V
DS
= -10V ,我
D
= -3.1A
„
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
V
DS
= -55V, V
GS
= 0V
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V ,T
J
= 55°C
V
DS
= -55V, V
GS
= 0V ,T
J
= 55°C
V
GS
= ±20V
N沟道
I
D
= 4.5A ,V
DS
= 44V, V
GS
= 10V
P沟道
I
D
= -3.1A ,V
DS
= -44V, V
GS
= -10V
N沟道
V
DD
= 28V ,我
D
= 1.0A ,R
G
= 6.0Ω,
R
D
= 16Ω
P沟道
V
DD
= -28V ,我
D
= -1.0A ,R
G
= 6.0Ω,
R
D
= 16Ω
N沟道
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V , ƒ = 1.0MHz的
P沟道
V
GS
= 0V, V
DS
= -25V , ƒ = 1.0MHz的
∆V
( BR ) DSS
/∆T
J
击穿电压温度。系数
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
nC
„
ns
„
pF
源极 - 漏极额定值和特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
连续源电流(体二极管)
脉冲源电流(体二极管)

二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
分钟。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
0.70
-0.80
60
54
120
85
MAX 。单位
条件
2.0
-2.0
A
38
-27
1.2
T
J
= 25 ° C,I
S
= 2.0A ,V
GS
= 0V
ƒ
V
-1.2
T
J
= 25 ° C,I
S
= -2.0A ,V
GS
= 0V
ƒ
90
N沟道
ns
80
T
J
= 25 ° C,I
F
= 2.0A ,的di / dt = 100A / μs的
170 NC
P沟道
„
T
J
= 25 ° C,I
F
= -2.0A ,的di / dt = 100A / μs的
130

重复评价;脉冲宽度有限的
注意事项:
„
脉冲宽度
300μS ;占空比
2%.
最大。结温。 (参见图22)
‚
N沟道我
SD
4.7A , di / dt的
220A / μs的,V
DD
V
( BR ) DSS
, T
J
150°C
…
表面安装在FR- 4电路板,T
10sec.
P沟道我
SD
-3.4A , di / dt的
-150A / μs的,V
DD
V
( BR ) DSS
, T
J
150°C
ƒ
N沟道
起始物为
J
= 25 ° C,L = 6.5mH ř
G
= 25Ω, I
AS
= 4.7A.
P沟道
起始物为
J
= 25 ° C,L = 20mH ř
G
= 25Ω, I
AS
= -3.4A.
2
www.irf.com