IRF7343TRPBF 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF7343TRPBF
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内容描述：	第五代技术 [generation v technology]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小：	10 页 / 225 K
品牌：	IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]

PD - 92547

IRF7343PbF

第五代技术

超低导通电阻

双N和P沟道MOSFET

表面贴装

全额定雪崩

LEAD -FREE

HEXFET

功率MOSFET

N沟道MOSFET

N沟道

DSS

55V

P沟道

-55V

描述

国际整流器第五代HEXFETs

利用先进的加工技术，以实现

极低的导通电阻每硅片面积。这

益处，结合快速开关速度和

坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率

MOSFET是众所周知的，为设计者提供

用一个非常有效和可靠的装置，用于使用

在各种各样的应用中。

采用SO-8已经通过定制进行了修改

引线框架用于增强热性能和

多模能力使它成为理想的各种

电源应用。有了这些改进，

多个设备可以在一个应用程序中使用

大大减少了电路板空间。该包是

专为气相，红外，或波峰焊

技术。

P沟道MOSFET

顶视图

DS （ ON）

0.050Ω 0.105Ω

SO-8

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 70°C

= 25°C

= 70°C

dv / dt的

英镑

漏源电压

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

最大功率耗散

单脉冲雪崩能量？

雪崩电流

重复性雪崩能量

栅极 - 源极电压

峰值二极管恢复的dv / dt

结温和存储温度范围

马克斯。

N沟道

4.7

3.8

2.0

1.3

4.7

0.20

± 20

5.0

-55到+ 150

-5.0

114

-3.4

P沟道

-55

-3.4

-2.7

-27

单位

V / ns的

°C

热阻

θJA

www.irf.com

最大结点到环境

参数

典型值。

马克斯。

62.5

单位

° C / W

10/7/04

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