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IRF630 参数 Datasheet PDF下载

IRF630图片预览
型号: IRF630
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内容描述: N-MOSFET [N-MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 113 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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IRF630/FP
电气特性
(续)
接通
Symbo升
t
D(上)
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
开启时间
上升时间
总摹吃费
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试刀豆ditions
V
DD
= 100 V I
D
= 4.5 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
(见测试电路,图3 )
V
DD
= 160 V
I
D
= 9 A
V
GS
= 10 V
分钟。
典型值。
10
15
31
7.5
9
马克斯。
14
20
45
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
Symbo升
t
R( Voff时)
t
f
t
c
参数
关闭电压上升牛逼IME
秋季牛逼IME
交叉时间
测试刀豆ditions
V
DD
= 160 V I
D
= 9 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
(见测试电路,图5 )
分钟。
典型值。
12
12
25
马克斯。
17
17
35
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
Symbo升
I
SD
I
SDM
(•)
V
SD
(
)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
(脉冲的)
正向电压上
反向恢复
时间
反向恢复
收费
反向恢复
当前
I
SD
= 9 A
V
GS
= 0
170
0.95
11
I
SD
= 9的的di / dt = 100 A /
µ
s
o
T
j
= 150 C
V
DD
= 50 V
(见测试电路,图5 )
测试刀豆ditions
分钟。
典型值。
马克斯。
9
36
1.5
单位
A
A
V
ns
µ
C
A
(
)脉冲:脉冲宽度= 300
µ
S,占空比1.5 %
( • )脉冲宽度有限的安全工作区
安全工作区TO- 220
安全工作区TO- 220FP
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