®
IRF630
IRF630FP
N - CHANNEL 200V - 0.35Ω - 9A - TO- 220 / FP
MESH OVERLAY ™ MOSFET
TYPE
IRF630
IRF630F P
s
s
s
s
V
DSS
200 V
200 V
R
DS （ ON）
< 0.40
Ω
< 0.40
Ω
I
D
9 A
9 A
典型ř
DS （ ON）
= 0.35
Ω
DV dt能力极高/
非常低的固有电容
栅极电荷最小化
3
1
2
1
2
3
描述
这是功率MOSFET采用他的设计
公司的综合带状布局，基于MESH
覆盖
™
流程。该技术匹配
而相比提高了性能
标准件从各种来源。
TO-220
TO-220FP
应用
s
大电流开关
s
不间断电源（ UPS ）
s
DC / DC COVERTERS为电信，
工业和照明设备。
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(•)
P
合计
的dv / dt （
1
)
V
ISO
T
s TG
T
j
参数
IRF630
漏源电压（V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k
Ω
)
摹吃 - 源极电压
漏电流（连续）在T
c
= 25
o
C
漏电流（连续）在T
c
= 100
o
C
漏电流（脉冲）
牛逼otal耗散在T
c
= 25 C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘W¯¯ ithstand电压（DC ）
储存温度
马克斯。工作结温
o
价值
IRF630F P
200
200
±
20
9
5.7
36
75
0.6
5
-65到150
150
9(**)
5.7(**)
36
25
0.20
5
2000
取消它
V
V
V
A
A
A
W
W /
o
C
V / ns的
V
o
o
C
C
(
•
）脉冲宽度有限的安全工作区
(
1
) I
SD
≤
图9A中， di / dt的
≤
300 A/
µ
S，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
， TJ
≤
T
JMAX
该日期代码存在Z或k标记硅的第一个数字特征本数据表
（ ** ）有限公司仅按最大允许温度
1999年2月
1/9
IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
