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    IRLML6401GPBF 参数 Datasheet PDF下载

    IRLML6401GPBF图片预览
    型号： IRLML6401GPBF
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： ?? HEXFET功率MOSFET [HEXFETPower MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管开关脉冲光电二极管
    文件页数/大小： 8 页 / 197 K
    品牌： IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
     浏览型号IRLML6401GPBF的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRLML6401GPBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRLML6401GPBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRLML6401GPBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRLML6401GPBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRLML6401GPBF的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRLML6401GPBF的Datasheet PDF文件第8页  
    IRLML6401GPbF
    0.10
    RDS ( on ) , Drain-to-Source On Resistance (
    Ω
    )
    0.20
    VGS = -1.8V
    0.15
    VGS = -2.5V
    RDS(on) , Drain-to -Source Voltage (
    Ω
    )
    0.09
    0.08
    0.07
    0.06
    0.05
    0.04
    0.03
    0.02
    1.0
    2.0
    3.0
    4.0
    5.0
    6.0
    7.0
    0.10
    Id = -4.3A
    0.05
    VGS = -4.5V
    0.00
    0
    10
    20
    30
    40
    -I D , Drain Current ( A )
    -VGS, Gate -to -Source Voltage ( V )
    Fig 12.
    Typical On-Resistance Vs.
    Gate Voltage
    Fig 13.
    Typical On-Resistance Vs.
    Drain Current
    0.8
    -VGS(th) Gate threshold Voltage (V)
    0.7
    0.6
    ID = -250µA
    0.5
    0.4
    0.3
    -75
    -50
    -25
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    T J , Temperature ( °C )
    Fig 14.
    Typical Threshold Voltage Vs.
    Junction Temperature
    6
    www.irf.com

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