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IRFZ44VZLPBF 参数 Datasheet PDF下载

IRFZ44VZLPBF图片预览
型号: IRFZ44VZLPBF
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内容描述: HEXFET㈢功率MOSFET ( VDSS = 60V , RDS ( ON) = 12米ヘ, ID = 57A ) [HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(on) = 12mヘ , ID = 57A )]
分类和应用:
文件页数/大小: 13 页 / 352 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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IRFZ44VZS/LPbF
EAS, Single Pulse Avalanche Energy (mJ)
15V
300
250
VDS
L
DRIVER
ID
TOP
3.8A
5.0A
BOTTOM
34A
200
RG
V
GS
20V
D.U.T
IAS
tp
+
V
- DD
A
150
0.01
100
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
V
(BR)DSS
tp
50
0
25
50
75
100
125
150
175
Starting T J, Junction Temperature (°C)
I
AS
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Q
G
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
10 V
Q
GS
Q
GD
VGS(th) Gate threshold Voltage (V)
4.0
V
G
ID = 250µA
3.0
Charge
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
2.0
L
0
DUT
1K
VCC
1.0
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150 175
T J , Temperature ( °C )
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 14.
Threshold Voltage Vs. Temperature
6
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