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IRFZ44VZLPBF 参数 Datasheet PDF下载

IRFZ44VZLPBF图片预览
型号: IRFZ44VZLPBF
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内容描述: HEXFET㈢功率MOSFET ( VDSS = 60V , RDS ( ON) = 12米ヘ, ID = 57A ) [HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(on) = 12mヘ , ID = 57A )]
分类和应用:
文件页数/大小: 13 页 / 352 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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IRFZ44VZS/LPbF
60
2.5
50
RDS(on) , Drain-to-Source On Resistance
(Normalized)
ID = 34A
VGS = 10V
2.0
ID , Drain Current (A)
40
30
1.5
20
1.0
10
0
25
50
75
100
125
150
175
0.5
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
T J , Junction Temperature (°C)
T J , Junction Temperature (°C)
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
Fig 10.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
10
Thermal Response ( Z thJC )
1
D = 0.50
0.20
0.10
0.1
0.05
0.02
0.01
τ
J
R
1
R
1
τ
J
τ
1
τ
2
R
2
R
2
τ
C
τ
τ
2
Ri (°C/W)
τi
(sec)
0.960
0.00044
0.680
0.00585
τ
1
0.01
Ci=
τi/Ri
Ci i/Ri
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
0.001
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
0.01
0.1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
www.irf.com
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