IRFZ24N 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRFZ24N
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内容描述：	功率MOSFET （ VDSS = 55V ， RDS（ON） = 0.07ohm ，ID = 17A） [Power MOSFET (Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A)]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小：	8 页 / 125 K
品牌：	INFINEON [ Infineon ]

IRFZ24N

R_D

V_DS

V_GS

10V

D.U.T.

R_G

⁺V_DD

Pulse Width ≤ 1 µs

Duty Factor ≤ 0.1 %

Fig 10a. Switching Time Test Circuit

90%

175

100

125

150

10%

, Case Tem perature (°C)

d(on)

d(off)

Fig 9. Maximum Drain Current Vs.

Fig 10b. Switching Time Waveforms

Case Temperature

0.5 0

0 .2 0

0 .1 0

0.0 5

0.02

0.01

D M

0.1

S IN G L E P U L S E

(TH E R M A L R E S P O N S E )

Notes:

1. D uty fac tor D =

/ t

2. Peak T = P

x Z

+ T

thJC

0.01

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

t₁, Rectangular Pulse Duration (sec)

Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case

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