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IRF7707PBF 参数 Datasheet PDF下载

IRF7707PBF图片预览
型号: IRF7707PBF
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内容描述: HEXFET㈢功率MOSFET [HEXFET㈢ Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 146 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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IRF7707PbF
8.0
V
DS
V
GS
R
D
-I
D
, Drain Current (A)
6.0
4.0
V
GS
Pulse Width
≤ 1
µs
Duty Factor
≤ 0.1 %
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
2.0
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
V
GS
0.0
10%
25
50
75
100
125
150
T
C
, Case Temperature ( ° C)
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
90%
V
DS
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
100
D = 0.50
Thermal Response (Z
thJA
)
0.20
10
0.10
0.05
0.02
1
0.01
t
1
t
2
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
0.1
0.00001
Notes:
1. Duty factor D = t
1
/ t
2
2. Peak T
J
= P
DM
x Z
thJA
+ T
A
0.01
0.1
1
10
100
P
DM
0.0001
0.001
t
1
, Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
www.irf.com
+
-
R
G
D.U.T.
V
DD
5