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IRF3205SPBF 参数 Datasheet PDF下载

IRF3205SPBF图片预览
型号: IRF3205SPBF
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内容描述: HEXFET㈢功率MOSFET [HEXFET㈢ Power MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 10 页 / 277 K
品牌: INFINEON [ Infineon ]
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IRF3205S/LPbF  
RD  
VDS  
120  
100  
80  
60  
40  
20  
0
LIMITED BY PACKAGE  
VGS  
DꢀUꢀTꢀ  
RG  
+
-
VDD  
10V  
Pulse Width ≤ 1 µs  
Duty Factor ≤ 0.1 %  
Fig 10aꢀ Switching Time Test Circuit  
V
DS  
90%  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
175  
°
10%  
T , Case Temperature( C)  
C
V
GS  
t
t
r
t
t
f
d(on)  
d(off)  
Fig 9ꢀ Maximum Drain Current Vsꢀ  
Fig 10bꢀ Switching Time Waveforms  
Case Temperature  
1
D = 0.50  
0.20  
0.1  
0.10  
0.05  
P
2
DM  
t
SINGLE PULSE  
(THERMAL RESPONSE)  
1
0.02  
0.01  
t
2
Notes:  
1. Duty factor D = t / t  
1
2. Peak T =P  
x Z  
+ T  
C
J
DM  
thJC  
0.01  
0.00001  
0.0001  
0.001  
0.01  
0.1  
1
t , Rectangular Pulse Duration (sec)  
1
Fig 11ꢀ Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case  
www.irf.com  
5
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