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IPT1206-BEF 参数 Datasheet PDF下载

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型号: IPT1206-BEF
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内容描述: 高的电流密度,由于增加一倍台面技术 [High current density due to double mesa technology]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 221 K
品牌: IPS [ IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
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IPT1206-xxF  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj = 25 unless otherwise specified)  
IPT1206-xxF  
Symbol  
Test Condition  
Quadrant  
Unit  
TE  
5
SE  
10  
CE  
35  
BE  
50  
IGT  
I II III  
I II III  
MAX  
MAX  
mA  
V
VD = 12V RL = 30Ω  
VGT  
1.3  
0.2  
VD=VDRM, RL=3.3KΩ,  
Tj = 125 ℃  
VGD  
IL  
I II III  
MIN  
V
I III  
10  
15  
10  
20  
3.5  
1.0  
-
25  
30  
15  
40  
6.5  
2.9  
-
50  
60  
35  
500  
-
70  
80  
50  
1000  
-
IG = 1.2 IGT  
IT = 100mA  
MAX  
mA  
II  
IH  
MAX  
MIN  
mA  
dV/dt  
VD = 67% VDRM gate open Tj = 125 ℃  
(dV/dt) c=0.1V/us Tj = 125 ℃  
(dV/dt) c=10V/us Tj = 125 ℃  
Without snubber Tj = 125 ℃  
V/us  
(dI/dt)c  
MIN  
-
-
A/ms  
6.5  
12  
STATIC CHARACTERISTICS  
Symbol  
VTM  
Test Conditions  
Value(MAX)  
Unit  
V
ITM = 17A, t p = 380uS  
Tj = 125 ℃  
Tj = 125 ℃  
Tj = 125 ℃  
1.55  
5
IDRM  
VD = VDRM  
VR = VRRM  
uA  
IRRM  
1
mA  
THERMAL RESISTANCES  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
Rth (j c)  
Junction to case(AC)  
3.3  
/W  
4F, Cheong won B/D, 269 Hyoje-dong, Jongno-gu, Seoul, 110-480 Korea  
TEL : +82-70 - 7574 - 2839, Fax : +82-2-6280-6382, sales@ipsemiconductor.com  
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