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IPT04Q08-DEI 参数 Datasheet PDF下载

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型号: IPT04Q08-DEI
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内容描述: 高的电流密度,由于增加一倍台面技术 [High current density due to double mesa technology]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 228 K
品牌: IPS [ IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
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IPT04Q08-xxI  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj = 25 unless otherwise specified)  
IPT04Q06-xxI  
Symbol  
Test Condition  
Quadrant  
Unit  
TE  
DE  
SE  
AE  
I II III  
5
5
5
10  
10  
10  
25  
IGT  
MAX  
MAX  
mA  
V
IV  
10  
VD = 12V RL = 30Ω  
VGT  
ALL  
ALL  
1.5  
0.2  
VD=VDRM, RL=3.3KΩ,  
Tj = 125 ℃  
VGD  
IL  
MIN  
V
I III IV  
10  
20  
15  
10  
1
10  
20  
15  
10  
1
20  
40  
25  
10  
5
20  
40  
25  
10  
5
IG = 1.2 IGT  
IT = 500mA  
MAX  
mA  
II  
IH  
MAX  
MIN  
MIN  
mA  
V/us  
V/us  
dV/dt  
VD = 67% VDRM gate open Tj = 125 ℃  
(dV/dt) c=0.8A/ms Tj = 125 ℃  
(dV/dt)c  
STATIC CHARACTERISTICS  
Symbol  
VTM  
Test Conditions  
Value (MAX)  
Unit  
ITM = 5.5A, t p = 380uS  
Tj = 25 ℃  
Tj = 25 ℃  
Tj = 125 ℃  
1.6  
5
V
IDRM  
VD = VDRM  
VR = VRRM  
uA  
mA  
IRRM  
1
THERMAL RESISTANCES  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
Rth (j c)  
Junction to case (AC)  
2.6  
/W  
4F, Cheong won B/D, 269 Hyoje-dong, Jongno-gu, Seoul, 110-480 Korea  
TEL : +82-70 - 7574 - 2839, Fax : +82-2-6280-6382, sales@ipsemiconductor.com  
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