ISL6614
此外，超过400mV的滞后还集成
进入三态关闭窗口，以消除PWM
由于看到的电容性负载的输入振荡
通过该控制器的PWM的体二极管的PWM输入
输出时，电的和/或断电顺序
驱动器和PWM控制器的偏置电源是必需的。
Q
门
被计算为53nC为PVCC = 12V 。我们将
假设一个200mV的压降驱动电压在PWM
周期。我们发现，自举电容至少
0.267μF是必需的。
1.6
1.4
1.2
C
BOOT_CAP
(
µ
F)
1.
0.8
0.6
Q
门
= 100nC
0.4
50nC
0.2
20nC
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
上电复位（ POR）功能
在初始启动时， VCC电压的上升被监控。
当VCC电压上升超过9.8V （典型值） ，
驾驶者的操作使能与所述PWM输入信号
需要的栅极驱动的控制权。如果VCC低于
落下7.6V （典型值）的阈值时，所述驱动器的操作是
禁用。
预POR过压保护
之前的VCC超过其上电复位电平，上部栅极保持
低，并且较低的栅极由过电压控制
初次启动时的保护电路。相位
连接到低侧MOSFET的栅极（ LGATE ）
它提供了一些保护，微处理器，如果
上MOSFET （ S）初始启动过程中短路。为
完善的保护功能，低侧MOSFET应该有一个
远低于最大额定电压的栅极阈值
负载/微处理器。
当VCC低于其POR水平，两个门拉低
和预POR过压保护电路是不
直到VCC复位激活。
0.0
0.0
∆V
BOOT_CAP
(V)
图2.举电容VS BOOT纹波
电压
栅极驱动电压多功能性
该ISL6614提供了选择的灵活性，用户
栅极驱动电压的效率优化。该ISL6614
绑上下驱动导轨在一起。只需申请
从5V的电压高达12V PVCC上都设置栅极驱动
铁路同时电压。连接SOT- 23封装
从VCC类型的双肖特基二极管和BOOT1
BOOT2可以绕过这两个内部自举装置
上闸，以使部分可作为双ISL6612操作
驱动器，它有一个固定的VCC （12V典型的）上的上
栅极和一个可编程下部栅极驱动电压。
内部自举设备
这两种驱动器具有内部自举肖特基二极管。
简单地增加一个外部电容两端的BOOT和
PHASE引脚完成自举电路。引导
功能也被设计为防止自举电容
从在过充电，由于大的负摆幅
后缘的PHASE节点。这降低电压
强调引导相位引脚。
自举电容必须有一个最大的电压
上述评级UVCC + 5V和其电容值可以是
从下面的方程中选择：
Q
门
-
C
BOOT_CAP
≥
-------------------------------------
∆V
BOOT_CAP
Q
G1
•
PVCC
-
Q
门
= -----------------------------------
•
N
Q1
V
GS1
过温保护（ OTP ）
当IC的结温超过150℃时
（通常情况下） ，这两个上，下闸门关闭。驱动程序
保持关机状态，并且不会返回到正常操作，直到其
结温降到低于108 ° C（典型值） 。
对于高频应用，施加较低的电压，以
PVCC有助于降低功耗和降低
IC的结温。这种方法降低了风险
跳闸OTP 。
（当量1）
功耗
封装功耗的主要功能
开关频率（f
SW
），输出驱动器的阻抗，在
外部栅极电阻，并且所选择的MOSFET的
内部栅极电阻和总栅极电荷。计算
驱动程序中的功率耗散为一个所需的应用程序是
关键是确保安全运行。超过最大
允许功耗水平将推动IC超越
最大推荐工作结温
125°C 。最大允许IC功耗的
FN9155.4
2005年7月25日
其中Q
G1
是每上部MOSFET的栅极电荷量
在V
GS1
栅极 - 源极电压和N-
Q1
是数
每通道控制的MOSFET。该
∆V
BOOT_CAP
期限
定义为在上闸门的钢轨的容许下垂
驾驶。
作为一个例子，假设2 IRLR7821 FET被选为
上部的MOSFET 。栅极电荷，Q
G
从数据
片10NC在4.5V （V
GS
）栅极 - 源极电压。然后，
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