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ISL6614CB-T 参数 Datasheet PDF下载

ISL6614CB-T图片预览
型号: ISL6614CB-T
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内容描述: 有保护功能的双高级同步整流降压MOSFET驱动器 [Dual Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Protection Features]
分类和应用: 驱动器
文件页数/大小: 12 页 / 330 K
品牌: INTERSIL [ INTERSIL CORPORATION ]
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ISL6614
功能引脚说明
封装引脚#
SOIC
1
DFN
15
符号
PWM1
功能
PWM信号是控制输入为信道1的驱动程序。 PWM信号可以在进入三个不同的状态
操作,请参见下面描述的三态PWM输入部分的进一步细节。该引脚连接至PWM
输出控制器。
PWM信号是控制输入为通道2的司机。 PWM信号可以在进入三个不同的状态
操作,请参见下面描述的三态PWM输入部分的进一步细节。该引脚连接至PWM
输出控制器。
偏置和参考地。所有的信号都参考这个节点。
通道1.将低栅极驱动输出至低侧功率N沟道MOSFET的栅极。
该引脚提供电源都较低和较高的ISL6614栅极驱动器。它的工作范围为+ 5V至12V 。
此引脚与GND放置一个高品质低ESR的陶瓷电容。
它既是低的栅极驱动器的电源接地回路。
无连接。
通道2.将低栅极驱动输出至低侧功率N沟道MOSFET的栅极。
该引脚连接到上层MOSFET的源极和下MOSFET的通道2.本漏极
引脚提供了上部栅极驱动器的返回路径。
通道2.将上层栅极驱动输出的高端电源N沟道MOSFET栅极。
浮动自举电源引脚用于通道2的上栅极驱动连接这之间的自举电容
引脚和PHASE2引脚。自举电容器提供打开上部MOSFET的电荷。见
在选择电容值下的说明为指导,内部自举设备部分。
浮动自举电源引脚通道1的上栅极驱动连接这之间的自举电容
引脚和相位缓冲销。自举电容器提供打开上部MOSFET的电荷。见
在选择电容值下的说明为指导,内部自举设备部分。
通道1连接上层栅极驱动输出的高端电源N沟道MOSFET栅极。
该引脚连接到上层MOSFET的源极和下MOSFET的通道1.本漏极
引脚提供了上部栅极驱动器的返回路径。
该引脚连接到+ 12V的偏置电源。它提供电源,内部模拟电路。将高品质低ESR
陶瓷电容此引脚与GND 。
通过散热增强型连接来连接该端口的电源地平面( GND ) 。
2
16
PWM2
3
4
5
6
-
7
8
9
10
1
2
3
4
5,8
6
7
9
10
GND
LGATE1
PVCC
保护地
N / C
LGATE2
PHASE2
UGATE2
BOOT2
11
11
BOOT1
12
13
14
-
12
13
14
17
UGATE1
PHASE1
VCC
PAD
7
FN9155.4
2005年7月25日