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    127 参数 Datasheet PDF下载

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    型号： 127
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    内容描述： 超高频晶体管阵列 [Ultra High Frequency Transistor Arrays]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 13 页 / 299 K
    品牌： INTERSIL [ INTERSIL CORPORATION ]
     浏览型号127的Datasheet PDF文件第1页浏览型号127的Datasheet PDF文件第2页浏览型号127的Datasheet PDF文件第3页浏览型号127的Datasheet PDF文件第5页浏览型号127的Datasheet PDF文件第6页浏览型号127的Datasheet PDF文件第7页浏览型号127的Datasheet PDF文件第8页浏览型号127的Datasheet PDF文件第9页  
    HFA3046 ， HFA3096 ， HFA3127 ， HFA3128
    电气规格
    参数
    功率增益带宽积，
    f
    最大
    基地发射极电容
    集电极基极电容
    T
    A
    = 25°C
    （续）
    DIE
    测试条件
    I
    C
    = 10毫安，V
    CE
    = 5V
    V
    BE
    = -3V
    V
    CB
    = 3V
    T
    A
    = 25°C
    DIE
    参数
    DC PNP特性
    集电极基极击穿
    电压，V
    （ BR ） CBO
    集电极到发射极击穿
    电压，V
    （ BR ） CEO
    集电极到发射极击穿
    电压，V
    （ BR ） CES
    发射器基极击穿
    电压，V
    （ BR ） EBO
    集电极截止目前，我
    首席执行官
    集电极截止目前，我
    CBO
    集电极到发射极饱和
    电压，V
    CE （ SAT ）
    基地发射极电压，V
    BE
    直流正向电流传输
    比，H
    FE
    早期的电压，V
    A
    基地发射极电压漂移
    集热器集热器泄漏
    I
    C
    = -100μA ，我
    E
    = 0
    I
    C
    = -100μA ，我
    B
    = 0
    I
    C
    = -100μA ，基地短路到发射极
    I
    E
    = -10μA ，我
    C
    = 0
    V
    CE
    = -6V ，我
    B
    = 0
    V
    CB
    = -8V ，我
    E
    = 0
    I
    C
    = -10mA ，我
    B
    = -1mA
    I
    C
    = -10mA
    I
    C
    = -10mA ，V
    CE
    = -2V
    I
    C
    = -1mA ，V
    CE
    = -3.5V
    I
    C
    = -10mA
    10
    8
    10
    4.5
    -
    -
    -
    -
    20
    10
    -
    -
    T
    A
    = 25°C
    DIE
    参数
    动态PNP特性
    噪声系数
    f
    T
    电流增益带宽
    产品
    功率增益带宽
    产品
    基地发射极电容
    集电极基极电容
    F = 1.0GHz的，V
    CE
    = -5V,
    I
    C
    = -5mA ，Z
    S
    = 50Ω
    I
    C
    = -1mA ，V
    CE
    = -5V
    I
    C
    = -10mA ，V
    CE
    = -5V
    I
    C
    = -10mA ，V
    CE
    = -5V
    V
    BE
    = 3V
    V
    CB
    = -3V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    3.5
    2
    5.5
    3
    200
    300
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    3.5
    2
    5.5
    2
    500
    600
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    dB
    GHz的
    GHz的
    GHz的
    fF
    fF
    测试条件
    民
    典型值
    最大
    民
    SOIC ， QFN
    典型值
    最大
    单位
    15
    15
    15
    5
    2
    0.1
    0.3
    0.85
    60
    20
    -1.5
    1
    -
    -
    -
    -
    100
    10
    0.5
    0.95
    -
    -
    -
    -
    10
    8
    10
    4.5
    -
    -
    -
    -
    20
    10
    -
    -
    15
    15
    15
    5
    2
    0.1
    0.3
    0.85
    60
    20
    -1.5
    1
    -
    -
    -
    -
    100
    10
    0.5
    0.95
    -
    -
    -
    -
    V
    毫伏/°C的
    pA
    V
    V
    V
    V
    nA
    nA
    V
    V
    测试条件
    民
    典型值
    最大
    民
    SOIC ， QFN
    典型值
    最大
    单位
    民
    -
    -
    -
    典型值
    6
    200
    200
    最大
    -
    -
    -
    民
    -
    -
    -
    SOIC ， QFN
    典型值
    2.5
    500
    500
    最大
    -
    -
    -
    单位
    GHz的
    fF
    fF
    电气规格
    电气规格
    4
    FN3076.13
    2005年12月21日

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