HFA3046 ， HFA3096 ， HFA3127 ， HFA3128
绝对最大额定值
集电极到发射极电压（开基） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8V
集电极基极电压（发射极输出） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12V
发射器基极电压（反向偏置） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5.5V
集电极电流（ 100 ％占空比） 。 。 。 。 。 。 18.5毫安在T
J
= 150°C
34毫安在T
J
= 125°C
37毫安在T
J
= 110°C
峰值集电极电流（任何条件） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 65毫安
热信息
热电阻（典型值）
θ
JA
（ ° C / W）
θ
JC
（ ° C / W）
14 Ld的SOIC封装（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。
120
不适用
16 Ld的SOIC封装（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。
115
不适用
QFN封装（注2，注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
57
10
最大功率耗散（任何一个晶体管） 。 。 。 。 。 。 。 。 0.15W
最高结温（死亡）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175℃
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃〜150 ℃的
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
（ SOIC - 只会提示）
工作信息
温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至125°C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
2.
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
3.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
电气规格
参数
DC NPN特性
集电极基极击穿
电压，V
（ BR ） CBO
集电极到发射极击穿
电压，V
（ BR ） CEO
集电极到发射极击穿
电压，V
（ BR ） CES
发射器基极击穿
电压，V
（ BR ） EBO
集电极截止电流，我
首席执行官
集电极截止电流，我
CBO
集电极到发射极饱和
电压，V
CE （ SAT ）
基地发射极电压，V
BE
直流正向电流传输
比，H
FE
早期的电压，V
A
基地发射极电压漂移
集热器集热器泄漏
T
A
= 25°C
DIE
测试条件
民
典型值
最大
民
SOIC ， QFN
典型值
最大
单位
I
C
= 100μA ，我
E
= 0
I
C
= 100μA ，我
B
= 0
I
C
= 100μA ，基地短路到发射极
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
V
CE
= 6V ，我
B
= 0
V
CB
= 8V ，我
E
= 0
I
C
= 10毫安，我
B
= 1毫安
I
C
= 10毫安
I
C
= 10毫安，V
CE
= 2V
I
C
= 1mA时， V
CE
= 3.5V
I
C
= 10毫安
12
8
10
5.5
-
-
-
-
40
20
-
-
18
12
20
6
2
0.1
0.3
0.85
130
50
-1.5
1
-
-
-
-
100
10
0.5
0.95
-
-
-
-
12
8
10
5.5
-
-
-
-
40
20
-
-
18
12
20
6
2
0.1
0.3
0.85
130
50
-1.5
1
-
-
-
-
100
10
0.5
0.95
-
-
-
-
V
V
V
V
nA
nA
V
V
V
毫伏/°C的
pA
电气规格
参数
T
A
= 25°C
DIE
测试条件
民
典型值
最大
民
SOIC ， QFN
典型值
最大
单位
动态特性NPN
噪声系数
f
T
电流增益带宽
产品
F = 1.0GHz的，V
CE
= 5V,
I
C
= 5毫安，Z
S
= 50Ω
I
C
= 1mA时， V
CE
= 5V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 5V
-
-
-
3.5
5.5
8
-
-
-
-
-
-
3.5
5.5
8
-
-
-
dB
GHz的
GHz的
3
FN3076.13
2005年12月21日
INTERSIL [ INTERSIL CORPORATION ]
