E
符号
V
PP
TYPE
供应
V
CC
供应
V
CCQ
供应
FAST BOOT BLOCK数据表
表1.引脚说明
名称和功能
块擦除和编程电源（ 2.7 V ， 3.6 V ，
11.4 V–12.6 V):
用于擦除阵列块或编程数据，有效电压
必须应用到该引脚。随着V
PP
≤
V
PPLK
，存储器的内容不能被改变。
块擦除和编程具有无效V
PP
电压不应该尝试。
采用11.4 V- 12.6 V到V
PP
只能最多为1000个循环上进行
主块和2500个循环的参数块。 V
PP
可以被连接到
12 V共最多支持80个小时（见第6.0节的详细信息） 。
器件电源（ 2.7 V - 3.6 V ） ：
随着V
CC
≤
V
LKO
所有写尝试
闪速存储器被抑制。在无效的V器件业务
CC
电压应
不会尝试。
输出电源（ 1.65 V ， 2.5 V ， 2.7 V ， 3.6 V ） ：
使所有的输出是
驱动至1.65 V至2.5 V或2.7 V至3.6 V.当V
CCQ
等于1.65 V ， 2.5 V ，V
CC
电压不得超过3.3 V ，应调节到2.7 V ， 2.85 V实现
最低功率运行（见
DC特性
有关详细信息） 。
该输入可直接连接到V
CC
.
GND
NC
供应
地面：
不要任何浮动接地引脚。
无连接：
铅是没有内部连接;它可被驱动或浮置。
2.3
内存阻断组织
快速引导块闪存系列是一个
非对称封闭架构，使
在一个单一的系统集成的代码和数据
闪光装置。对每个地址位置
块，请参阅图3中的存储器映射（上启动
粘连）以及图4 （底面的引导块）。
2.3.1
参数块
通常被存储在EEPROM中。通过使用
软件技术中，字重写功能
EEPROM的可仿效。每8位和
16-Mbit
设备
包含
八
4-Kwords
（ 4096字）参数块。
2.3.2
主要模块
快速启动区块快闪记忆体架构
包括参数块，以便于存储的
经常更新的小参数会
该参数块之后，对其余
阵列被划分为代码大小相等的主块
和/或数据存储。 8 - Mbit的器件包含
15 32 - K字（ 32,768字）主块，
16 - Mbit的器件含有31 32 K字
（ 32,768字）主要模块。
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INTEL [ INTEL CORPORATION ]
