28F400BL - T B 28F004BL - T B
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产品系列概述
1 2主要特点
该28F400BL 28F004BL引导块闪存
家庭是一个非常高的性能4兆位（ 4 194 304
位）内存的家庭组织为任256 K字
每16位或512字节（ 262 144字）
（ 524 288字节）的每个8位
七分别可擦除块
包括
硬件可锁定引导块
（ 16 384字节）
2参数块
（ 8每192字节），
FOUR
主要模块
（ 1块98 304字节和3块
131 072字节）都包含在4兆位的家庭
擦除操作将删除在主块的一个
通常3 4秒，引导或参数
在典型的2 0秒独立的块
其余的块的每个块可独立
擦除和编程10万次
引导块
位于任一顶端（-T ）或
底部（-B ）的地址的地图，以AC-
commodate不同的微处理器协议
引导代码的位置
硬件Iockable启动
块
提供了最安全的代码存储的
引导块是用于存储内核代码重新
需要准备启动，一个系统当RP引脚
6V之间4V 11和12的引导块被解锁
和编程和擦除操作可以per-
形成当
RP
销处于或低于4 1V的
引导区被锁定，编程和擦除操作
系统蒸发散的引导块将被忽略
该28F400BL产品都可以在
ROM中的EPROM兼容的引脚排列和容纳在
44引脚PSOP （塑料小外形封装）封装，
56引脚TSOP （薄型小尺寸1毫米厚）
包在图3和图4中的所示
28F004BL产品在40引脚可用
TSOP （1毫米厚）包装，如图5
该
命令用户界面（CUI ）
作为
微处理器或单片机之间的接口
控制器和28F400BL的内部操作
和28F004BL闪存产品
编程和擦除自动化
让程序
并用双执行擦除操作
写命令序列的崔内部
写状态机（ WSM ）自动执行
算法和必要的程序定时
和擦除操作，包括核查there-
通过unburdening微处理器或microcontrol-
内存数据写入LER在词或进行
为28F400BL家庭和一个字节一个字节的增量
通常在递增的28F004BL家庭
11
ms
在整个数据表28F400BL同时指
该28F400BL -T和28F400BL - B设备和
28F004BL同时指28F004BL -T和
28F004BL -B设备的4兆位闪存系列是指
双方的28F400BL和28F004BL此产品
数据表包括规格为4 sep-
独的产品在4兆位闪存系列第1节
提供了4兆位闪存系列的概述IN-
cluding应用的引脚和引脚说明
第2和第3详细描述了具体的MEM
为28F400BL和28F004BL ORY组织
产品分别为第4集一去
scription的操作家庭的原则Fi的
应受第5节描述了家庭的经营
特定网络阳离子
产品系列
X8 X16产品
28F400BL-T
28F400BL-B
X8仅产品
28F004BL-T
28F004BL-B
1设计升级到
SmartVoltage产品
今天的高容量引导块产品上调
gradeable英特尔SmartVoltage引导块的精良
UCTS提供编程和擦除操作电压为5V
或12V V
PP
而读操作电压为3V或5V V
CC
英特尔SmartVoltage引导块产品提供
以下增强功能，以引导块产品
在此资料中描述
1 ，DU销被替换为可湿性粉剂是提供一种手段，以
锁定和解锁与逻辑信号的引导块
2 5V编程擦除操作使用证明亲
克和擦除技术与5V
g
10 ％ AP-
合股到V
PP
3增强电路，在3 3V优化性能
V
CC
请参考2 4或8Mbit的SmartVoltage引导块
闪存数据表的完整规格
系统蒸发散
当你设计采用12V V
PP
引导块产品
你应该提供的功能在你的DE-板
签署升级到SmartVoltage产品
请遵循以下准则，以确保兼容性
1将杜（ WP上SmartVoltage产品），以
的控制信号或到V
CC
或GND
2如果添加上V开关
PP
写保护
切换到GND为完整的写保护
3允许用于连接5V到V
PP
和断开
12V从V
PP
如果需要行
3
INTEL [ INTEL CORPORATION ]
