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28F200BL-TB 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 28F200BL-TB
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内容描述: 2兆位( 128K ×16 , 256K ×8 )低功耗BOOT BLOCK闪存系列 [2-MBIT (128K x 16, 256K x 8)LOW-POWER BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 42 页 / 497 K
品牌: INTEL [ INTEL CORPORATION ]
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28F200BL - T B 28F002BL - T B
编程和擦除自动化
让程序
并用双执行擦除操作
写命令序列的崔内部
写状态机( WSM )自动执行
算法和必要的程序定时
和擦除操作,包括核查there-
通过unburdening微处理器或microcontrol-
内存数据写入LER在词或进行
为28F200BL家庭和一个字节一个字节的增量
通常在递增的28F002BL家庭
11
ms
状态寄存器( SR )
显示的状态
WSM以及是否WSM顺利完成
所需的程序或擦除操作
最大访问时间
150纳秒(T
)
实现
在商用温度范围( 0℃至
a
70℃ )以上V
CC
电源电压范围( 3 0V到
3 6V 4 5V至5 5V)和为50 pF输出负载
I
PP
项目目前为40毫安运行X16
30毫安X8操作我
PP
擦除电流
30毫安最大V
PP
擦除和编程
电压为4V 11到12 6V (V
PP
e
12V
g
5 % ),非
明镜所有工作条件
典型的我
CC
的15 mA工作电流
实现
对于x16的产品和x8的产品
2兆位闪存系列还设计有一个非盟
tomatic省电( APS )功能,以尽量减少
系统的电池电流消耗,并允许极
低功耗设计一旦设备被接入到
读阵列数据APS模式将立即把
在经营模式,静态存储器在哪里
CC
有功电流通常为0 8毫安直到下一个读
启动
当CE和RP引脚在V
CC
BYTE引脚( 28F200BL只)是在任V
CC
或GND
CMOS待机
模式被使能,其中
I
CC
is
通常
40
mA
A
深度掉电模式
启用时,
RP引脚为地降低功耗
并在上电期间提供写保护CON-
ditions
I
CC
当前
在深度掉电模式
is
0 20
mA
典型
的初始最大存取时间
或复位600 ns的时间从RP是必需的
切换到输出有效等价的
设备具有为1的最大的唤醒时间
ms
直到
写入命令的用户界面是recog-
的发布当RP是在地面WSM是重置
状态寄存器被清零,而整个装置是
被写入此功能保护预
通风口数据损坏,保护存储的代码
在系统上电时器件复位系统复位
引脚可连接到RP重置内存去甲
发作时启动复位引脚的阅读模式
当CPU进入复位模式,预计读
一个存储器位置的内容。此外
与片内程序擦除自动化的
2 - Mbit的家庭和亲数据的RP功能
在CPU后tection被复位,即使一个程序
或擦除命令发出后,设备将不会市盈率
ognize任何操作,直到RP返回到其正常
状态
对于28F200BL字节宽度或字宽在 -
把输出控制
可以通过控制
BYTE引脚当BYTE引脚为逻辑低电平
该装置是在字节宽模式的(x8)和数据是
读取并通过DQ 0 7写在字节级
宽屏幕模式DQ 8月14日处于三态和DQ
15
A
b
1
成为最低阶地址引脚当
BYTE引脚处于逻辑高的装置是在
字宽模式( X16 ),数据被读取和写入
通过DQ 0 15
1 3应用
2- Mbit的低功耗引导块闪存fami-
LY结合了高密度3V操作高性
formance成本效益与嵌段闪速存储器
荷兰国际集团和硬件保护功能,其灵活性
和通用性会降低整个成本的精良
UCT生命周期Flash存储器非常适合刚刚好时间
生产流程降低系统库存和
成本和消除过程中处理组件
生产阶段在产品生命周期
当代码更新或增强功能如下─
来到必要闪存将减少向上
日期成本通过允许任何一个用户执行的代码
通过软盘或通过远程代码的变化而变化
串行链路的2兆位引导块闪速存储器
系列提供了全功能受阻快闪记忆体
适用于广泛范围的应用,这些AP-
并发症包括:
扩展PC的BIOS手持Digi-
TAL蜂窝电话
程序和数据的存储和
其他各种便携式嵌入式应用
程序和数据的存储要求
可重新编程的系统,如笔记本电脑和
掌上电脑是理想的应用
2 - Mbit的低功耗闪存产品便携和han-
dheld个人计算机的应用程序正变得
更复杂的除了电源管理的
换货软件利用最新的微
处理器技术的可用性的基于ROM的
电子应用软件手写板代码
笔迹和诊断代码。图1示出了
例如28F200BL -T的应用
这增加了软件的复杂垫片
一个代码更新将被要求的概率
后PC在出厂时, 2 - Mbit的低功耗闪存
内存产品提供了一种廉价的所谓更新
4