28F200BL - T B 28F002BL - T B
请遵循以下准则，以确保兼容性
1将杜（ WP上SmartVoltage产品），以
的控制信号或到V
CC
或GND
2如果添加上V开关
PP
写保护
切换到GND为完整的写保护
3允许用于连接5V到V
PP
和断开
从线V 12V
PP
如果需要行
10
产品系列概述
在整个数据表28F200BL同时指
该28F200BL -T和28F200BL - B设备和
28F002BL同时指28F002BL -T和
28F002BL - B设备的2 - Mbit的闪族是指
双方的28F200BL和28F002BL此产品
数据表包括规格为4 sep-
独的产品在2兆比特的闪存家族
部1提供的2兆位闪存的概述
内存系列，包括应用的引脚和
引脚说明第2和第3详细介绍
在特定的内存组织的28F200BL
和28F002BL产品分别第4节
结合了对家庭的原则的描述
操作最后第5节描述了家庭的
操作规范
产品系列
X8 X16产品
28F200BL-T
28F200BL-B
X8仅产品
28F002BL-T
28F002BL-B
1 2主要特点
该28F200BL 28F002BL低功耗引导块
闪存的家庭是一个非常低的功耗，非常
高性能的2兆位（ 2 097 152位）内存
家庭组织成要么128 K字（ 131 072
每16位或256 KB的话） （ 262 144
每个8位字节）
五分别可擦除块
包括
硬
洁具，可锁定引导块
（ 16 384字节）
2纸张
rameter块
（ 8每192字节），
两个主要的
块
（ 1块98 304字节和1块
131 072字节）都包含在2兆位的家庭
擦除操作擦除块5的典型之一
美云3 4秒，并在引导或参数块
在通常2 0秒独立剩下的
造块的每个块可独立擦除的
与编程10万次
引导块
位于任一顶端
(28F200BL-T
28F002BL - T）或底部
在该地址的地图（ 28F200BL -B 28F002BL - B）的
为了适应不同的微处理器亲
母育酚的启动代码的位置
硬件locka-
BLE引导块
提供了最安全的代码stor-
年龄的引导块用于存储内核
需要引导，建立一个系统当代码
RP引脚11 4V和6V 12引导块之间
是解锁，编程和擦除操作可
来执行当RP销处于或低于4 1V
引导块被锁定，编程和擦除OP-
操作，以引导块将被忽略
该28F200BL产品都可以在
ROM中的EPROM兼容的引脚排列和容纳在
44引脚PSOP （塑料小外形封装）封装，
56引脚TSOP （薄型小尺寸1 2毫米
如示于图3和4的厚度）包
28F002BL产品在40引脚可用
如图5的TSOP （ 1 2毫米厚），包
该
命令用户界面（CUI ）
作为
微处理器或单片机之间的接口
控制器和28F200BL的内部操作
和28F002BL闪存产品
1设计升级到
SmartVoltage产品
今天的高容量引导块产品上调
可分级英特尔SmartVoltage引导块的精良
UCTS提供编程和擦除操作电压为5V
或12V V
PP
而读操作电压为3V或5V V
CC
英特尔SmartVoltage引导块产品提供
以下增强功能，以引导块产品
本数据手册描述
1 ，DU销被替换为可湿性粉剂是提供一种手段
锁定和解锁逻辑引导块显
的NAL
2 5V编程擦除操作使用证明亲
克和擦除技术与5V
g
10 ％ AP-
合股到V
PP
3增强电路，在3 3V优化性能
V
CC
请参考2 4或8兆比特SmartVoltage引导块
闪存数据表的完整规格
系统蒸发散
当你设计采用12V V
PP
引导块产品
你应该提供的功能在你的DE-板
签署升级到SmartVoltage产品
3
INTEL [ INTEL CORPORATION ]
