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28F016SA 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 28F016SA
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内容描述: 28F016SA 16兆位( 1兆比特×16 , 2兆×8 ) FlashFile记忆 [28F016SA 16-MBIT (1 MBIT X 16, 2 MBIT X 8)FlashFile MEMORY]
分类和应用:
文件页数/大小: 55 页 / 823 K
品牌: INTEL [ INTEL CORPORATION ]
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E
符号
RY / BY #
WP #
BYTE #
28F016SA
2.1铅说明
(续)
TYPE
漏极开路
产量
名称和功能
READY / BUSY :
表示内部WSM的状态。当较低,
表示WSM正忙于执行一个操作。 RY / BY #高
表明WSM等待新的操作(或WSM有
完成了所有挂起的操作) ,或块擦除暂停,或
设备处于深度掉电模式。这个输出总是处于激活状态(即,不
漂到三态时关闭OE #或CE
0
# ,CE
1
#高) ,但如果
RY / BY #引脚禁止命令发出。
写保护:
擦除块可以通过写入非易失性被锁定
锁位的每个块。当WP #为低电平时,这些锁块,
由块锁状态位( BSR.6 )反映,免受
意外的数据的程序或块擦除操作。当WP #为高电平时,所有块
可以写入或擦除不管锁定位的状态。在WP #
输入缓冲器被禁止,当RP #转换为低电平(深度掉电
模式)。
字节使能:
BYTE #低的地方x8模式的设备。所有数据然后
输入或输出上的DQ
0–7
和DQ
8–15
浮动。地址
0
之间进行选择
的高和低字节。 BYTE #高处的设备在x16模式,而
关闭一个
0
输入缓冲器。地址
1
然后变成最低次
地址。
3.3 / 5.0 VOLT选择:
3/5 #高配置内部电路为3.3V
操作。 3/5 #低配置内部电路为5.0V操作。
注意事项:
阅读与3/5 #高在5.0V系统中的阵列可能会损坏
装置。
有从3/5 #转换为有效的数据的显著延迟。
V
PP
V
CC
GND
NC
供应
供应
供应
擦除/编程电源:
擦除存储器阵列块
或写字/字节/页到闪存阵列。
器件电源电压( 3.3V±10 % , 5.0V ±10% , 5.0V ±5%) :
不要留下任何电源引脚悬空。
地面所有内部电路:
不要留下任何接地引脚悬空。
无连接:
铅可被驱动或悬空。
输入
输入
3/5#
输入
9