28F016SA
在连续写入的字节数时，数组或
擦除多个块在同一时间。该
28F016SA还可以执行程序操作
一个内存块，同时执行擦除
另一个块。
该28F016SA提供用户可选的模块
锁保护的代码或数据，例如设备
驱动器， PCMCIA卡信息， ROM的可执行
O / S或应用程序代码。每块具有一个
相关联的非易失性锁定位，它确定了
该块的锁定状态。此外， 28F016SA
有高手写保护引脚（ WP ＃ ），这
防止了任何修改的存储器块
其锁定位被置位。
该28F016SA包含三种类型的状态
寄存器来完成各种功能：
•
兼容状态寄存器（ CSR ），这是
与28F008SA FlashFile 100％兼容
内存的状态寄存器。该寄存器中，当
单独使用时，可直接升级
从28F008SA-能力的28F016SA
根据设计。
全局状态寄存器（ GSR ）的通知
的命令队列状态，页面系统
缓冲器状态，以及整体写状态机
（ WSM ）的状态。
32块状态寄存器（ BSR的），它提供
块特定的状态信息，如
块锁定位状态。
两个信号来启用或禁用整个芯片。两
CE
0
＃和CE
1
＃必须是低电平有效使
设备，并且如果任一个变为非激活状态，则芯片
将被禁用。此功能，随着开
漏RY / BY ＃引脚，允许系统设计人员
减少了在大型用于控制引脚的数量
阵列的16兆位器件。
该BYTE ＃引脚允许使用x8或x16
读/程序的28F016SA 。 BYTE ＃逻辑
选择低8位模式与地址A
0
选择
低字节，高字节之间。另一方面，
BYTE ＃为逻辑高电平使16位操作
地址
1
成为最低阶地址和
地址
0
未使用（不关心） 。一个设备块
图示于图1 。
该28F016SA被指定为最高的访问
70 ns的时间（t
加
）在5.0V操作（ 4.75V至
5.25V ）在商用温度范围
（ 0 ° C至+ 70 ° C） 。相应的最大访问
120 ns的电压为3.3V （ 3.0V至3.6V和0 ° C到时间
+ 70°C ） ，实现可降低功耗
应用程序。
该28F016SA集成了自动功率
节能（ APS）功能，可大大降低
有功电流时，该设备是在静态
操作方式（地址不切换） 。
在APS模式，典型的我
CC
电流在5.0V 1毫安
（0.8毫安3.3V ） 。
调用操作的深度掉电模式
当RP ＃ （称为PWD ＃在28F008SA ）引脚
转变为低。这种模式使器件的功率
消耗至低于1.0 μA ，典型地，与
通过作为提供额外的写保护
在电源转换器件复位引脚。复位
时间是从RP ＃需要切换到高
输出又有效。在深度掉电
状态下， WSM复位（任何现行操作
中止）和企业社会责任， GSR和BSR寄存器
清除。
操作的CMOS待机模式下启用
当CE
0
＃或CE
1
＃转换为高和RP ＃
居高不下的所有输入控制引脚的CMOS
的水平。在这种模式下，该设备典型地绘制一个
I
CC
50 μA待机电流。
E
•
•
在GSR和BSR内存映射为字节宽和
字宽模式显示在图5
6 。
该28F016SA集成了一个开漏RY / BY ＃
输出引脚。该功能允许用户或领带
许多RY / BY ＃引脚连接在一起的多个存储
配置如居民闪存阵列。
已启用RY / BY的＃引脚其他配置
通过特殊崔命令和描述于
详细地
16兆位闪存产品系列用户
手册。
该28F016SA还采用了双芯片使能
两个输入引脚功能，CE
0
＃和CE
1
＃ 。这些
引脚具有完全相同的功能的
普通芯片使能引脚CE ＃上28F008SA 。为
最小的芯片设计， CE
1
＃可连接到地
使用CE
0
＃如芯片使能输入端。该
28F016SA使用这些逻辑组合
6
2.0
器件的引脚
该28F016SA 56引脚TSOP I型引出线
结构示于图2中的56引线
SSOP引出线结构示于图3 。
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