28F010 参数 Datasheet PDF下载

型号：	28F010
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内容描述：	1024K （ 128K ×8 ）的CMOS FLASH MEMORY [1024K (128K x 8) CMOS FLASH MEMORY]
分类和应用：
文件页数/大小：	30 页 / 407 K
品牌：	INTEL [ INTEL CORPORATION ]

28F010

这个高电压的存储器的内容受到保护

对擦除参见AC擦除特性

和波形的具体时间参数

擦除验证命令

擦除命令擦除阵列的所有字节

每个平行擦除操作之后的所有字节必须

验证是通过启动验证操作擦除

写A0H到命令寄存器地址

对于要验证的字节必须提供原样

锁定在WE脉冲的下降沿

寄存器写入终止与擦除操作

其WE脉冲的上升沿

该28F010应用于内部产生的余量

电压寻址的字节读从FFH

寻址的字节表示字节的所有位

被删除

擦除验证命令必须被写入到

之前的每个字节进行核查，命令寄存器

锁存它的地址的方法，继续对各

字节数组中，直到一个字节不返回FFH

数据或最后一个地址被访问

在数据读出时不FFH另一个的情况下

执行擦除操作（参考到菜单

擦除擦除）验证，然后从恢复

最后验证一个字节的地址一旦所有字节

阵列经过验证的擦除步骤的COM -

完整的装置，可被编程在这一点上

在验证操作是通过写一个有效终止

命令（例如程序设置）的命令

注册图6中的快速擦除算法illus-

trates命令和总线操作是如何的COM

bined执行28F010的电擦除

请参见AC擦除特性和波形

具体的时序参数

建立计划程序命令

建立擦除擦除命令

建立擦除是一个命令只操作了

级的装置中所有字节的电擦除

在阵列中进行的菜单的擦除操作

通过写入20H命令寄存器

开始芯片擦除擦除命令

（ 20H ）必须再次写入寄存器

擦除操作开始的上升沿

WE脉冲，并终止与上升沿

接下来我们脉冲（即擦除验证命令）

及设置后execu-这两步流程

化保证了内存的内容不acciden-

理货擦除另外芯片擦除只能发生在

高电压被施加于V

销在没有

建立的程序是一个命令只操作了

阶段器件字节编程写入40H

入命令寄存器执行的建立

手术

一旦执行该程序设置的操作

接下来WE脉冲将导致活性的过渡

编程操作的地址是内部

锁定在WE脉冲数据的下降沿

被内部地锁存，在WE的上升沿

脉冲的上升沿的我们也开始亲

编程操作的编程操作

终止与我们的下一个上升沿

二手

写程序验证命令请参见AC

编程特性和波形的

具体的时序参数

读命令

而V

高擦除和编程

存储器的内容可以经由读取访问

命令读取操作是通过写启动

00H到命令寄存器微处理器

读周期阵列获取数据的设备遗体

启用读取，直到命令寄存器可

帐篷被改变

在V寄存器的默认内容

Pow-

ER- UP是00H此默认值确保没有spu-

的存储器内容rious改造过程中发生

在V

电源转换凡V

供应

硬连线到28F010器件通电时和

保持启用，直到读取命令寄存器

器的内容被改变请参考交流读

特性和波形的具体时间

参数

智能命令标识符

闪存被用于在应用程序中使用

其中本地CPU改变存储器的内容作为

这样的制造商和设备代码必须AC-

插拔而设备驻留在目标系

TEM PROM编程器通常访问的签名

通过提高A9到高电压然而代码mul-

路分离高压到地址线是不是一去

sired系统设计实践

该28F010包含一个智能操作的标识符

化，以补充传统的PROM编程

方法是通过编写初始化操作

90H到命令寄存器之后的COM

普通话写从地址0000H读周期重新

trieves 89H一个读周期的制造商代码

从地址0001H返回的设备代码

B4H要终止该操作，有必要

写另一个有效的命令到寄存器

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