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28F010 参数 Datasheet PDF下载

28F010图片预览
型号: 28F010
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 1024K ( 128K ×8 )的CMOS FLASH MEMORY [1024K (128K x 8) CMOS FLASH MEMORY]
分类和应用:
文件页数/大小: 30 页 / 407 K
品牌: INTEL [ INTEL CORPORATION ]
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28F010
表2 28F010公交运营
模式
输出禁用
只读
待机
智能标识符(制造商)
(2)
智能标识(设备)
(2)
读写
输出禁用
待机
(5)
V
PP(1)
V
PPL
V
PPL
V
PPL
V
PPL
V
PPL
V
PPH
V
PPH
V
PPH
V
PPH
A
0
A
0
X
X
V
IL
V
IH
A
0
X
X
A
0
A
9
A
9
X
X
V
ID(3)
V
ID(3)
A
9
X
X
A
9
CE
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
OE
V
IL
V
IH
X
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
X
V
IH
WE
V
IH
V
IH
X
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
X
V
IL
DQ
0
? DQ
7
数据输出
三州
三州
数据
e
89H
数据
e
B4H
数据输出
(4)
三州
三州
DATA IN
(6)
笔记
1 ,请参考直流特性当V
PP
e
V
PPL
存储器的内容可以读,但不能写或擦除
2制造商和设备代码,也可以通过一个命令寄存器写入顺序访问的参考表3的所有其它
地址低
3 V
ID
是智能标识高压参见直流特性
与V 4读操作
PP
e
V
PPH
可以访问数组中的数据或智能标识代码
5用v
PP
在高电压产生的备用电流等于I
CC
a
I
PP
(待机)
6在写入操作期间,请参见表3为有效的数据输入
7 ,X可以为V
IL
或V
IH
该寄存器默认的帐篷读命令
使28F010的只读存储器中。在此
模式中的存储器的内容不能被改变
或者系统设计师可以选择'硬线''
V
PP
使高压电源不断
可在这种情况下,所有命令寄存器功能
系统蒸发散均有抑制作用,每当V
CC
低于该写
锁定电压V
LKO
(请参阅电源向上向下的保护
化)的28F010设计适合的EI
疗法的设计实践,并鼓励优化
处理器的存储器接口
这两个步骤的程序擦除写时序,
命令寄存器提供额外的软件
写保护
巴士业务
该28F010具有两个控制功能这两者
必须在逻辑活性的输出,以获得数据
却将片选( CE )是功率控制和
应该用于设备选择输出使能
(OE )是输出控制和应使用
从输出引脚独立DE-的栅极数据
副选择参照AC读取时序波形
当V
PP
是高(Ⅴ
PPH
)读操作可以是
用于访问数组数据到输出的智能
识别码,并进行程序访问数据
擦除验证当V
PP
是低(Ⅴ
PPL
)读
操作
访问数组数据
输出禁用
用OE处于逻辑高电平(V
IH
从输出)
设备被禁用的输出引脚被放置在一个高
阻抗状态
待机
与CE在逻辑高电平待机操作
化禁用大部分28F010的电路和子的
stantially降低设备功耗的
输出被置于高阻抗状态不知疲倦
在OE信号的吊灯如果28F010是dese-
在擦除或编程程序lected
擦除验证该器件消耗的有功电流
直到该动作结束
智能标识操作
智能标识操作输出的制造
商代码( 89H )和设备代码( B4H )亲
编程设备自动DE-匹配
副以其适当的擦除和编程algo-
rithms
7