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产品预览
3 VOLT ADVANCED + BOOT BLOCK
8-，16- ， 32兆位
闪存系列
28F008C3 ， 28F016C3 ， 28F032C3
28F800C3 ， 28F160C3 ， 28F320C3
柔性SmartVoltage技术
2.7 V - 3.6 V读/编程/擦除
2.7 V或1.65 V的I / O选项可减少
整个系统的功耗
12 V的快速生产
程序设计
高性能
2.7 V - 3.6 V ： 90 ns的最大访问时间
3.0 V- 3.6 V ： 80 ns的最大访问时间
优化的架构代号加
数据存储
8个8 KB的块，
顶部或底部位置
达六十三个64 KB块
快速的程序挂起能力
快速擦除挂起功能
灵活的块锁定
锁定/解锁任何块
充分保护上电时
WP ＃引脚的硬件模块
保护
V
PP
=
GND选项
V
CC
锁定电压
低功耗
9毫安典型的念力
10 μA的典型待机功耗
自动省电功能
扩展温度操作
-40 ° C至+85°C
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易12 V
更快的生产编程
没有额外的系统逻辑
128位注册保护
64位的唯一设备标识符
64位用户可编程OTP
细胞
扩展循环能力
最低100000块擦除
周期
闪存数据集成软件
闪存管理器
系统中断管理器
支持参数存储，
流媒体数据（例如，语音）
自动字/字节编程和
块擦除
命令的用户界面
状态寄存器
SRAM兼容写接口
交叉兼容命令支持
英特尔基本命令集
通用闪存接口
×16的高性能
48-Ball
μBGA *
包
48引脚TSOP封装
×8的I / O节省空间
48-Ball
μBGA *
包
40引脚TSOP封装
0.25
µ
ETOX ™ VI闪存技术
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在0.25微米3伏高级+引导块， Intel最新的0.25 μ技术制造的，代表了
在整体的系统成本更低的功能丰富的解决方案。 3智能闪存器件集成低电压
能力（ 2.7 V的读取，编程和擦除）具有高速，低功耗运行。灵活的块锁
允许任何块被独立地锁定或解锁。再加上英特尔开发的闪存数据
集成（ FDI）的软件，你有一个具有成本效益的，灵活的，单一的代码加上数据存储解决方案上
当今市场上。 3伏高级+引导块产品将在48引脚TSOP ， 40引脚TSOP可用，
和48球μBGA *包。该产品系列的更多信息可以通过访问获得
英特尔的WWW页面： http://www.intel.com/design/flcomp 。
1998年5月
订单号： 290645-001
INTEL [ INTEL CORPORATION ]
