欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

MMBT2222A 参数 Datasheet PDF下载

MMBT2222A图片预览
型号: MMBT2222A
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: NPN硅开关晶体管低集电极 - 发射极饱和电压 [NPN Silicon Switching Transistor Low collector-emitter saturation voltage]
分类和应用: 晶体开关晶体管光电二极管IOT
文件页数/大小: 8 页 / 83 K
品牌: INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
 浏览型号MMBT2222A的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MMBT2222A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMBT2222A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MMBT2222A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MMBT2222A的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MMBT2222A的Datasheet PDF文件第7页浏览型号MMBT2222A的Datasheet PDF文件第8页  
SMBT2222A/MMBT2222A
电气特性
at
T
A
= 25℃ ,除非另有说明
参数
符号
分钟。
AC特性
跃迁频率
I
C
= 20毫安,
V
CE
= 20 V,
f
= 100兆赫
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
发射极 - 基极电容
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
短路输入阻抗
I
C
= 1毫安,
V
CE
= 10 V,
f
= 1千赫
I
C
= 10毫安,
V
CE
= 10 V,
f
= 1千赫
开路反向电压互感器。比
I
C
= 1毫安,
V
CE
= 10 V,
f
= 1千赫
I
C
= 10毫安,
V
CE
= 10 V,
f
= 1千赫
短路正向电流互感器。比
I
C
= 1毫安,
V
CE
= 10 V,
f
= 1千赫
I
C
= 10毫安,
V
CE
= 10 V,
f
= 1千赫
开路输出导纳
I
C
= 1毫安,
V
CE
= 10 V,
f
= 1千赫
I
C
= 10毫安,
V
CE
= 10 V,
f
= 1千赫
延迟时间
V
CC
= 30 V,
I
C
= 150毫安,
I
B1
= 15毫安,
V
BE (OFF)的
= 0.5 V
上升时间
V
CC
= 30 V,
I
C
= 150毫安,
I
B1
= 15毫安,
V
BE (OFF)的
= 0.5 V
贮存时间
V
CC
= 30 V,
I
C
= 150毫安,
I
B1
=
I
B2
= 15毫安
下降时间
V
CC
= 30 V,
I
C
= 150毫安,
I
B1
=
I
B2
= 15毫安
噪声系数
I
C
= 100 µA,
V
CE
= 10 V,
f
= 1千赫,
f
= 200赫兹,
R
S
= 1 kΩ
t
英镑
t
f
F
-
-
-
-
-
-
225
60
4
dB
t
r
-
-
25
t
d
h
22e
5
25
-
-
-
-
35
200
10
ns
h
21e
50
75
-
-
300
375
µS
h
12e
-
-
-
-
8
4
-
h
11e
2
0.25
-
-
8
1.25
10
-4
kΩ
C
eb
-
-
35
f
T
C
cb
300
-
-
2.5
-
5
兆赫
pF
典型值。
马克斯。
单位
3
2007-04-19