欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
会员中心
企业资讯   人才招聘  
电子百科

电子百科

Datasheet下载 IC品牌 缩略语 技术文章 IC型号

产品导航

ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789
PDF
  • 产品
  • PDF

    • 最近搜索

    热门搜索

    搜索
    发布采购

    MMBT2222A 参数 Datasheet PDF下载

    MMBT2222A图片预览
    型号： MMBT2222A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅开关晶体管低集电极 - 发射极饱和电压 [NPN Silicon Switching Transistor Low collector-emitter saturation voltage]
    分类和应用： 晶体开关晶体管光电二极管IOT
    文件页数/大小： 8 页 / 83 K
    品牌： INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
     浏览型号MMBT2222A的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MMBT2222A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MMBT2222A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MMBT2222A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MMBT2222A的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MMBT2222A的Datasheet PDF文件第7页浏览型号MMBT2222A的Datasheet PDF文件第8页  
    SMBT2222A/MMBT2222A
    电气特性
    at
    T
    A
    = 25℃ ，除非另有说明
    参数
    符号
    值
    单位
    分钟。
    典型值。马克斯。
    DC特性
    -
    -
    集电极 - 发射极击穿电压
    V
    （ BR ） CEO
    40
    V
    I
    C
    = 10毫安，
    I
    B
    = 0
    集电极 - 基极击穿电压
    I
    C
    = 10 µA,
    I
    E
    = 0
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    75
    6
    -
    -
    -
    -
    µA
    发射极 - 基极击穿电压
    I
    E
    = 10 µA,
    I
    C
    = 0
    集电极 - 基极截止电流
    V
    CB
    = 60 V,
    I
    E
    = 0
    V
    CB
    = 60 V,
    I
    E
    = 0 ,
    T
    A
    = 150 °C
    -
    -
    I
    EBO
    h
    FE
    -
    -
    -
    0.01
    10
    10
    nA
    -
    发射基截止电流
    V
    EB
    = 3 V,
    I
    C
    = 0
    -
    直流电流增益
    1)
    I
    C
    = 100 µA,
    V
    CE
    = 10 V
    I
    C
    = 1毫安，
    V
    CE
    = 10 V
    I
    C
    = 10毫安，
    V
    CE
    = 10 V
    I
    C
    = 150毫安，
    V
    CE
    = 1 V
    I
    C
    = 150毫安，
    V
    CE
    = 10 V
    I
    C
    = 500毫安，
    V
    CE
    = 10 V
    35
    50
    75
    50
    100
    40
    V
    CESAT
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    300
    -
    V
    集电极 - 发射极饱和电压
    1)
    I
    C
    = 150毫安，
    I
    B
    = 15毫安
    I
    C
    = 500毫安，
    I
    B
    = 50毫安
    -
    -
    V
    BESAT
    -
    -
    -
    -
    0.3
    1
    1.2
    2
    基极发射极饱和电压
    1)
    I
    C
    = 150毫安，
    I
    B
    = 15毫安
    I
    C
    = 500毫安，
    I
    B
    = 50毫安
    1
    脉冲
    0.6
    -
    测试：吨< 300μS ; ð < 2 ％
    2
    2007-04-19

    IC37:专业IC行业平台

    专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

    网站导航 Datasheet资料库 电子术语 电子百科
    服务中心 常见问题 委托交易 会员服务
    关于我们 公司简介 联系我们 免责申明

    产品索引：ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789

    深圳网络警察报警平台 公共信息安全网络监察 经营性网站备案信息 不良信息举报中心 工商网监电子标识 全国公安机关备案
    服务电话： 0755-32882616 0755-32882606 0755-32882608 0755-32882607 0755-32882615 值班和投诉电话：13715251531 ©2004-2024 IC37网 版权所有：ic37.com 版权申明 公网安备44030402000606 粤ICP备13051289号-6