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BC856B 参数 Datasheet PDF下载

BC856B图片预览
型号: BC856B
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内容描述: PNP硅晶体管自动对焦 [PNP Silicon AF Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 14 页 / 883 K
品牌: INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
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BC856...-BC860...
电气特性
at
T
A
= 25℃ ,除非另有说明
参数
符号
分钟。
AC特性
跃迁频率
I
C
= 20毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
发射极 - 基极电容
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
短路输入阻抗
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫,
h
FE
-grp.A
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫,
h
FE
-grp.B
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫,
h
FE
-grp.C
开路反向电压互感器。比
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫,
h
FE
-grp.A
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫,
h
FE
-grp.B
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫,
h
FE
-grp.C
短路正向电流互感器。比
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫,
h
FE
-grp.A
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫,
h
FE
-grp.B
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫,
h
FE
-grp.C
开路输出导纳
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫,
h
FE
-grp.A
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫,
h
FE
-grp.B
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫,
h
FE
-grp.C
噪声系数
F
h
22e
-
-
-
18
30
60
1
-
-
-
4
dB
h
21e
-
-
-
200
330
600
-
-
-
µS
h
12e
-
-
-
1.5
2
3
-
-
-
-
h
11e
-
-
-
2.7
4.5
8.7
-
-
-
10
-4
kΩ
C
eb
-
8
-
f
T
C
cb
-
-
250
1.5
-
-
兆赫
pF
典型值。
马克斯。
单位
-
I
C
= 0.2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫,
D
f
= 200
赫兹,
R
S
= 2
kΩ,
BC859 , BC850
等效噪声电压
I
C
= 200毫安,
V
CE
= 5 V,
R
S
= 2 kΩ,
f
= 10 ... 50赫兹, BC860
V
n
-
-
0.11
µV
5
2008-04-29