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BC856B 参数 Datasheet PDF下载

BC856B图片预览
型号: BC856B
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内容描述: PNP硅晶体管自动对焦 [PNP Silicon AF Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 14 页 / 883 K
品牌: INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
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BC856...-BC860...
电气特性
at
T
A
= 25℃ ,除非另有说明
参数
符号
单位
分钟。
典型值。马克斯。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
V
( BR ) CEO
V
I
C
= 10毫安,
I
B
= 0, BC856 ...
I
C
= 10毫安,
I
B
= 0, ... BC857 , BC860 ...
I
C
= 10毫安,
I
B
= 0, ... BC858 , BC859 ...
65
45
30
V
( BR ) CBO
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
µA
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10 µA,
I
E
= 0, BC856 ...
I
C
= 10 µA,
I
E
= 0, ... BC857 , BC860 ...
I
C
= 10 µA,
I
E
= 0, ... BC858 , BC859 ...
80
50
30
V
( BR ) EBO
I
CBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1 µA,
I
C
= 0
5
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 45 V,
I
E
= 0
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150 °C
-
-
h
FE
-
-
140
250
480
180
290
520
0.015
5
-
-
-
-
250
475
800
mV
直流电流增益
1)
I
C
= 10 µA,
V
CE
= 5 V,
h
FE
-grp.A
I
C
= 10 µA,
V
CE
= 5 V,
h
FE
-grp.B
I
C
= 10 µA,
V
CE
= 5 V,
h
FE
-grp.C
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
h
FE
-grp.A
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
h
FE
-grp.B
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
h
FE
-grp.C
-
-
-
125
220
420
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 10毫安,
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安,
I
B
= 5毫安
-
-
V
BESAT
75
250
700
850
650
-
300
650
-
-
750
820
基极发射极饱和电压
1)
I
C
= 10毫安,
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安,
I
B
= 5毫安
-
-
V
BE(上)
基射极电压
1)
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V
I
C
= 10毫安,
V
CE
= 5 V
1
脉冲
600
-
测试:吨< 300μS ; ð < 2 %
4
2008-04-29