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    BC846B 参数 Datasheet PDF下载

    BC846B图片预览
    型号： BC846B
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅晶体管自动对焦（ AF对于输入级和驱动器应用高电流增益） [NPN Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain)]
    分类和应用： 晶体驱动器晶体管光电二极管
    文件页数/大小： 8 页 / 277 K
    品牌： INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
     浏览型号BC846B的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BC846B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC846B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BC846B的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BC846B的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BC846B的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BC846B的Datasheet PDF文件第8页  
    公元前846 ...公元前850
    电气特性
    at
    T
    A
    = 25℃，除非另有规定。
    参数
    符号
    分钟。
    AC特性
    跃迁频率
    I
    C
    = 20毫安，
    V
    CE
    = 5 V,
    f
    = 100兆赫
    输出电容
    V
    CB
    = 10 V,
    f
    = 1兆赫
    输入电容
    V
    CB
    = 0.5 V,
    f
    = 1兆赫
    短路输入阻抗
    I
    C
    = 2毫安，
    V
    CE
    = 5 V,
    f
    = 1千赫
    公元前846一公元前... 848一
    公元前846 B ...公元前850 B
    公元前847 ç ...公元前850℃
    开路反向电压传输比
    I
    C
    = 2毫安，
    V
    CE
    = 5 V,
    f
    = 1千赫
    公元前846一公元前... 848一
    公元前846 B ...公元前850 B
    公元前847 ç ...公元前850℃
    短路正向电流传输比
    I
    C
    = 2毫安，
    V
    CE
    = 5 V,
    f
    = 1千赫
    公元前846一公元前... 848一
    公元前846 B ...公元前850 B
    公元前847 ç ...公元前850℃
    开路输出导纳
    I
    C
    = 2毫安，
    V
    CE
    = 5 V,
    f
    = 1千赫
    公元前846一公元前... 848一
    公元前846 B ...公元前850 B
    公元前847 ç ...公元前850℃
    噪声系数
    I
    C
    = 0.2毫安，
    V
    CE
    = 5 V,
    R
    S
    = 2 kΩ
    f
    = 30 Hz的... 15千赫
    公元前849
    公元前850
    公元前849
    f
    = 1千赫，
    ∆
    f
    = 200赫兹
    公元前850
    等效噪声电压
    I
    C
    = 0.2毫安，
    V
    CE
    = 5 V,
    R
    S
    = 2 kΩ
    f
    = 10赫兹... 50赫兹
    公元前850
    f
    T
    C
    敖包
    C
    IBO
    h
    11e
    –
    –
    –
    h
    12e
    –
    –
    –
    h
    21e
    –
    –
    –
    h
    22e
    –
    –
    –
    F
    –
    –
    –
    –
    V
    n
    –
    1.4
    1.4
    1.2
    1.0
    –
    4
    3
    4
    4
    0.135
    µ
    V
    值
    典型值。
    马克斯。
    单位
    –
    –
    –
    250
    3
    8
    –
    –
    –
    兆赫
    pF
    kΩ
    2.7
    4.5
    8.7
    –
    –
    –
    10
    – 4
    1.5
    2.0
    3.0
    –
    –
    –
    –
    200
    330
    600
    –
    –
    –
    µ
    S
    18
    30
    60
    –
    –
    –
    dB
    半导体集团
    4

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