公元前846 ...公元前850
电气特性
at
T
A
= 25℃，除非另有规定。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安
公元前846
公元前847 ，公元前850
公元前848 ，公元前849
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10
µ
A
公元前846
公元前847 ，公元前850
公元前848 ，公元前849
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10
µ
A,
V
BE
= 0
公元前846
公元前847 ，公元前850
公元前848 ，公元前849
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1
µ
A
公元前846 ，公元前847
公元前848 ，公元前849 ，公元前850
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 30 V
V
CB
= 30 V,
T
A
= 150 ˚C
直流电流增益
I
C
= 10
µ
A,
V
CE
= 5 V
公元前846一公元前847一公元前848一
公元前846 B ...公元前850 B
公元前847 C，公元前848 C，公元前849 C，公元前850℃
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V
公元前846一公元前847一公元前848一
公元前846 B ...公元前850 B
公元前847 C，公元前848 C，公元前849 C，公元前850℃
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 10毫安，
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，
I
B
= 5毫安
基射极饱和电压
1)
I
C
= 10毫安，
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，
I
B
= 5毫安
基射极电压
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 5 V
1)
脉冲
值
典型值。
马克斯。
单位
V
(BR)CE0
65
45
30
V
(BR)CB0
80
50
30
V
（ BR ） CES
80
50
30
V
(BR)EB0
6
5
I
CB0
–
–
h
FE
–
–
–
110
200
420
V
CESAT
–
–
V
BESAT
–
–
V
BE（上）
580
–
660
–
700
770
700
900
–
–
90
200
250
600
140
250
480
180
290
520
–
–
–
220
450
800
–
–
15
5
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
V
nA
µ
A
–
mV
测试：
t
≤
300
µ
s,
D
= 2 %.
半导体集团
3
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