MCT2/MCT2E—Characteristics
T
A
=25°C
辐射源
正向电压
反向电流
电容
探测器
击穿电压
集电极 - 发射极
发射极 - 集电极
集电极 - 基
漏电流
电容,集电极 - 发射极
包
直流电流传输比
电容输入到输出
电阻,输入到输出
开关时间
CTR
C
I
O
R
IO
20
—
—
—
60
0.5
100
3.0
—
—
—
—
%
pF
GΩ
µs
集电极 - 发射极
集电极 - 基
—
BV
首席执行官
BV
ECO
BV
CBO
I
CBO
I
CBO
C
CE
30
7.0
70
—
—
—
—
—
—
5.0
—
10
—
—
—
50
20
—
nA
—
pF
V
符号
V
F
I
R
C
O
分钟。
—
—
—
典型值。
1.1
—
25
马克斯。
1.5
10
—
单位
V
条件
I
F
= 20毫安
V
R
=3.0 V
V
R
= 0中,f = 1.0兆赫
µ
A
pF
I
C
= 1.0毫安,
I
F
= 0毫安
I
E
=100
µ
A,
I
F
= 0毫安
I
C
=10
µ
A,
I
F
= 0毫安
V
CE
=10 V,
I
F
=0
V
CE
=0
V
CE
=10 V,
I
F
= 10毫安
—
—
t
ON
,
t
关闭
I
C
= 2.0毫安,
R
L
=100
Ω,
V
CE
=10 V
MCT270通过MCT277 -特点
T
A
=25°C
辐射源
正向电压
反向电流
电容
探测器
击穿电压
集电极 - 发射极
发射极 - 集电极
集电极 - 基
漏电流,集电极 - 发射极
包
直流电流传输比
MCT270
MCT271
MCT272
MCT273
MCT274
MCT275
MCT276
MCT277
电流传输比,集电极 - 发射极
MCT271–276
MCT277
集电极 - 发射极饱和电压
电容输入到输出
电阻,输入到输出
开关时间
MCT270/272
MCT271
MCT273
MCT274
MCT275/277
MCT276
2001年在网络霓虹技术公司•光电事业部•加利福尼亚州圣何塞
www.in网络neon.com/opto• 1-888-在网络氖( 1-888-463-4636 )
2–56
符号
V
F
I
R
C
O
BV
首席执行官
BV
ECO
BV
CBO
I
首席执行官
CTR
分钟。
典型值。
马克斯。
1.5
10
单位
V
条件
—
—
—
30
7.0
70
—
—
25
I
F
= 20毫安
V
R
=3.0 V
V
R
= 0中,f = 1.0兆赫
I
C
=10
µ
A,
I
F
= 0毫安
I
E
=10
µ
A,
I
F
= 0毫安
µ
A
pF
—
—
—
—
50
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.5
10
12
—
—
—
—
—
—
V
—
nA
I
C
=10
µ
A,
I
F
= 0毫安
V
CE
=10 V,
I
F
= 0毫安
V
CE
=10 V,
I
F
= 10毫安
—
50
45
75
125
225
70
15
100
—
90
150
250
400
210
60
—
—
—
0.4
—
—
10
7.0
20
25
15
3.5
%
CTR
CE
V
CE
SAT
C
IO
R
IO
12.5
40
—
—
—
—
—
—
—
—
—
%
—
V
pF
Ω
µs
V
CE
=0.4 V,
I
F
= 16毫安
I
CE
= 2.0毫安,
I
F
= 16毫安
—
V
IO
= 500 VDC
I
C
= 2.0毫安,
R
L
=100
Ω,
V
CE
=5.0 V
t
ON
,
t
关闭
光电晶体管,行业标准
3月27日, 2000-00