4N35/36/37/38—Characteristics
T
A
=25
°
C
辐射源
正向电压*
反向电流*
电容
探测器
击穿电压，集电极 - 发射极*
4N35/36/37
4N38
击穿电压，发射极 - 集电极*
击穿电压，集电极 - 基*
4N35/36/37
4N38
漏电流，集电极 - 发射极*
4N35/36/37
4N38
漏电流，集电极 - 发射极*
4N35/36/37
4N38
电容，集电极 - 发射极
包
直流电流传输比*
4N35/36/37
4N38
直流电流传输比*
4N35/36/37
4N38
电阻，输入到输出*
耦合电容
开关时间*
*表示JEDEC注册的值
符号
V
F
I
R
C
O
BV
首席执行官
BV
ECO
BV
CBO
I
首席执行官
I
首席执行官
C
CE
CTR
分钟。
0.9
典型值。
1.3
0.1
25
马克斯。
1.5
1.7
10
—
单位
V
条件
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安，
T
A
=–55
°
C
V
R
=6.0 V
V
R
= 0中，f = 1.0兆赫
I
C
= 1.0毫安
I
E
=100
µ
A
I
C
=100
µ
A,
I
B
=1.0
µ
A
V
CE
=10 V,
I
F
=0
V
CE
=60 V,
I
F
=0
V
CE
=30 V,
I
F
=0,
T
A
=100
°
C
V
CE
=60 V,
I
F
=0,
T
A
=100
°
C
V
CE
=0
V
CE
=10 V,
I
F
= 10毫安，
V
CE
=1.0 V,
I
F
= 20毫安
V
CE
=10 V,
I
F
= 10毫安，
T
A
= -55至100
°
C
V
IO
=500 V
F = 1.0 MHz的
I
C
= 2.0毫安，
R
L
=100
Ω,
V
CC
=10 V
µ
A
pF
30
80
7.0
70
80
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
5.0
—
—
6.0
6.0
—
—
—
—
—
50
50
500
—
—
V
V
V
—
nA
µA
pF
100
20
—
—
50
30
—
0.5
10
—
—
—
—
—
—
—
%
CTR
—
R
IO
C
IO
40
—
10
11
—
—
%
—
Ω
pF
µs
t
ON
,
t
关闭
通过H11A5 -特点H11A1
T
A
=25
°
C
辐射源
正向电压
H11A1–H11A4
H11A5
反向电流
电容
探测器
击穿电压，集电极 - 发射极
击穿电压，发射极 - 集电极
击穿电压，集电极 - 基
漏电流，集电极 - 发射极
电容，集电极 - 发射极
包
直流电流传输比
H11A1
H11A2/3
H11A4
H11A5
饱和电压，集电极 - 发射极
电容输入到输出
开关时间
V
CE
SAT
C
IO
CTR
50
20
10
30
—
—
—
—
—
—
—
—
0.5
3.0
—
—
—
—
0.4
—
—
V
pF
µs
I
CE
= 0.5毫安，
I
F
= 10毫安
—
%
BV
首席执行官
BV
ECO
BV
CBO
I
首席执行官
C
CE
30
7.0
70
—
—
—
—
—
5.0
6.0
—
—
—
50
—
V
V
V
nA
pF
I
R
C
0
符号
V
F
分钟。
—
—
—
—
典型值。
1.1
1.1
—
50
马克斯。
1.5
1.7
10
—
单位
V
条件
I
F
= 10毫安
V
R
=3.0 V
V
R
= 0中，f = 1.0兆赫
I
C
= 1.0毫安，
I
F
= 0毫安
I
E
=100
µ
A,
I
F
= 0毫安
µ
A
pF
I
C
=10
µ
A,
I
F
= 0毫安
V
CE
=10 V,
I
F
= 0毫安
V
CE
=0
V
CE
=10 V,
I
F
= 10毫安
t
ON
,
t
关闭
I
C
= 2.0毫安，
R
L
=100
Ω,
V
CE
=10 V
光电晶体管，行业标准
2001年在网络霓虹技术公司•光电事业部•加利福尼亚州圣何塞
www.in网络neon.com/opto• 1-888-在网络氖（ 1-888-463-4636 ）
2–55
3月27日， 2000-00
INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
