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    IRF7201TRPBF 参数 Datasheet PDF下载

    IRF7201TRPBF图片预览
    型号： IRF7201TRPBF
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 30V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SOP-8]
    分类和应用： 开关脉冲光电二极管晶体管
    文件页数/大小： 7 页 / 177 K
    品牌： INFINEON [ Infineon ]
     浏览型号IRF7201TRPBF的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRF7201TRPBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF7201TRPBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF7201TRPBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF7201TRPBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF7201TRPBF的Datasheet PDF文件第7页  
    IRF7201PbF  
    20  
    16  
    12  
    8
    1000  
    800  
    600  
    400  
    200  
    0
    I
    = 4.6A  
    V
    C
    C
    C
    = 0V,  
    f = 1MHz  
    D
    GS  
    iss  
    rss  
    oss  
    = C + C  
    ,
    C
    SHORTED  
    V
    V
    = 24V  
    = 15V  
    gs  
    gd  
    gd  
    ds  
    DS  
    DS  
    = C  
    = C + C  
    ds  
    gd  
    C
    iss  
    C
    oss  
    4
    C
    rss  
    0
    A
    A
    0
    5
    10  
    15  
    20  
    25  
    30  
    1
    10  
    100  
    Q
    , Total Gate Charge (nC)  
    V
    , Drain-to-Source Voltage (V)  
    G
    DS  
    Fig 10. Typical Gate Charge Vs.  
    Fig 9. Typical Capacitance Vs.  
    Gate-to-Source Voltage  
    Drain-to-Source Voltage  
    100  
    10  
    1
    D = 0.50  
    0.20  
    0.10  
    0.05  
    P
    2
    DM  
    0.02  
    0.01  
    t
    1
    t
    2
    Notes:  
    1. Duty factor D =  
    2. Peak T =P  
    J
    SINGLE PULSE  
    t / t  
    1
    x Z  
    (THERMAL RESPONSE)  
    + T  
    thJA A  
    DM  
    0.1  
    0.00001  
    0.0001  
    0.001  
    0.01  
    0.1  
    1
    10  
    100  
    t , Rectangular Pulse Duration (sec)  
    1
    Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient  
    www.irf.com  
    5

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