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    IRF3710ZSTRLPBF 参数 Datasheet PDF下载

    IRF3710ZSTRLPBF图片预览
    型号： IRF3710ZSTRLPBF
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Power Field-Effect Transistor, 59A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3]
    分类和应用： 局域网开关脉冲晶体管
    文件页数/大小： 12 页 / 389 K
    品牌： INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
     浏览型号IRF3710ZSTRLPBF的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRF3710ZSTRLPBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF3710ZSTRLPBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF3710ZSTRLPBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF3710ZSTRLPBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF3710ZSTRLPBF的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRF3710ZSTRLPBF的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IRF3710ZSTRLPBF的Datasheet PDF文件第9页  
    IRF3710Z/S/LPbF
    1000
    TOP
    VGS
    15V
    10V
    8.0V
    7.0V
    6.0V
    5.5V
    5.0V
    4.5V
    1000
    TOP
    VGS
    15V
    10V
    8.0V
    7.0V
    6.0V
    5.5V
    5.0V
    4.5V
    ID, Drain-to-Source Current (A)
    100
    ID, Drain-to-Source Current (A)
    100
    BOTTOM
    10
    BOTTOM
    1
    4.5V
    10
    4.5V
    0.1
    20µs PULSE WIDTH
    Tj = 25°C
    0.01
    0.1
    1
    10
    100
    20µs PULSE WIDTH
    Tj = 175°C
    1
    0.1
    1
    10
    100
    V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
    V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
    Fig 1.
    Typical Output Characteristics
    Fig 2.
    Typical Output Characteristics
    1000
    120
    GFS , Forward Transconductance (S)
    ID, Drain-to-Source Current
    (Α)
    100
    100
    T J = 175°C
    TJ = 25°C
    80
    T J = 175°C
    60
    10
    1
    T J = 25°C
    VDS = 25V
    20µs PULSE WIDTH
    2
    4
    6
    8
    10
    40
    20
    0
    VDS = 15V
    20µs PULSE WIDTH
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    60
    70
    0
    VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
    ID, Drain-to-Source Current (A)
    Fig 3.
    Typical Transfer Characteristics
    Fig 4.
    Typical Forward Transconductance
    vs. Drain Current
    www.irf.com
    3

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