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    BSS138NL6433XT 参数 Datasheet PDF下载

    BSS138NL6433XT图片预览
    型号： BSS138NL6433XT
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3]
    分类和应用： 光电二极管晶体管
    文件页数/大小： 9 页 / 462 K
    品牌： INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
     浏览型号BSS138NL6433XT的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BSS138NL6433XT的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BSS138NL6433XT的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BSS138NL6433XT的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BSS138NL6433XT的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BSS138NL6433XT的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BSS138NL6433XT的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BSS138NL6433XT的Datasheet PDF文件第9页  
    BSS138N
    9 Drain-source on-state resistance
    R
    DS(on)
    =f(T
    j
    );
    I
    D
    =0.23 A;
    V
    GS
    =10 V
    10 Typ. gate threshold voltage
    V
    GS(th)
    =f(T
    j
    );
    V
    DS
    =V
    GS
    ;
    I
    D
    =26 µA
    parameter:
    I
    D
    8
    2
    1.6
    6
    98 %
    R
    DS(on)
    [Ω]
    1.2
    4
    98 %
    V
    GS(th)
    [V]
    typ
    0.8
    2%
    typ
    2
    0.4
    0
    -60
    -20
    20
    60
    100
    140
    0
    -60
    -20
    20
    60
    100
    140
    T
    j
    [°C]
    T
    j
    [°C]
    11 Typ. capacitances
    C
    =f(V
    DS
    );
    V
    GS
    =0 V;
    f
    =1 MHz; T
    j
    =25°C
    12 Forward characteristics of reverse diode
    I
    F
    =f(V
    SD
    )
    parameter:
    T
    j
    10
    2
    10
    0
    150 °C, 98%
    25 °C
    150 °C
    Ciss
    25 °C, 98%
    10
    -1
    C
    [pF]
    10
    1
    Coss
    I
    F
    [A]
    10
    -2
    Crss
    10
    0
    0
    10
    20
    30
    10
    -3
    0
    0.4
    0.8
    1.2
    1.6
    2
    2.4
    V
    DS
    [V]
    V
    SD
    [V]
    Rev. 2.85
    page 6
    2012-04-04

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