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    BSS138NL6433 参数 Datasheet PDF下载

    BSS138NL6433图片预览
    型号： BSS138NL6433
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3]
    分类和应用： 光电二极管晶体管
    文件页数/大小： 9 页 / 462 K
    品牌： INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
     浏览型号BSS138NL6433的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BSS138NL6433的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BSS138NL6433的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BSS138NL6433的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BSS138NL6433的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BSS138NL6433的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BSS138NL6433的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BSS138NL6433的Datasheet PDF文件第9页  
    BSS138N
    Parameter
    Symbol Conditions
    min.
    Thermal characteristics
    Thermal resistance,
    junction - minimal footprint
    Values
    typ.
    max.
    Unit
    R
    thJA
    -
    -
    350
    K/W
    Electrical characteristics,
    at
    T
    j
    =25 °C, unless otherwise specified
    Static characteristics
    V
    (BR)DSS
    V
    GS
    = 0 V,
    I
    D
    =250 µA
    V
    GS(th)
    I
    D (off)
    V
    GS
    =V
    DS
    ,
    I
    D
    =26 µA
    V
    DS
    =60 V,
    V
    GS
    =0 V,
    T
    j
    =25 °C
    V
    DS
    =60 V,
    V
    GS
    =0 V,
    T
    j
    =150 °C
    Gate-source leakage current
    Drain-source on-state resistance
    I
    GSS
    R
    DS(on)
    V
    GS
    =20 V,
    V
    DS
    =0 V
    V
    GS
    =4.5 V,
    I
    D
    =0.03 A
    Drain-source breakdown voltage
    Gate threshold voltage
    Drain-source leakage current
    60
    0.6
    -
    -
    1.0
    -
    -
    1.4
    0.1
    V
    µA
    -
    -
    5
    -
    -
    1
    3.3
    10
    4.0
    nA
    Ω
    V
    GS
    =4.5 V,
    I
    D
    =0.19 A
    V
    GS
    =10 V,
    I
    D
    =0.23 A
    Transconductance
    g
    fs
    |V
    DS
    |>2|I
    D
    |R
    DS(on)max
    ,
    I
    D
    =0.18 A
    -
    -
    0.1
    3.5
    2.2
    0.2
    6.0
    3.5
    -
    S
    Rev. 2.85
    page 2
    2012-04-04

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