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    BSS138NH6327XTSA2 参数 Datasheet PDF下载

    BSS138NH6327XTSA2图片预览
    型号： BSS138NH6327XTSA2
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3]
    分类和应用： 光电二极管晶体管
    文件页数/大小： 9 页 / 456 K
    品牌： INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
     浏览型号BSS138NH6327XTSA2的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BSS138NH6327XTSA2的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BSS138NH6327XTSA2的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BSS138NH6327XTSA2的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BSS138NH6327XTSA2的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BSS138NH6327XTSA2的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BSS138NH6327XTSA2的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BSS138NH6327XTSA2的Datasheet PDF文件第9页  
    BSS138N
    5 Typ. output characteristics
    I
    D
    =f(V
    DS
    );
    T
    j
    =25 °C
    parameter:
    V
    GS
    0.6
    10 V
    7V
    5V
    4.5 V
    6 Typ. drain-source on resistance
    R
    DS(on)
    =f(I
    D
    );
    T
    j
    =25 °C
    parameter:
    V
    GS
    10
    2.9 V
    3.2 V
    3.5 V
    4V
    0.5
    8
    4V
    0.4
    I
    D
    [A]
    0.3
    3.5 V
    R
    DS(on)
    [Ω]
    6
    4.5 V
    3.2 V
    4
    5V
    0.2
    2.9 V
    7V
    10 V
    2
    0.1
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    0
    0
    0.1
    0.2
    0.3
    0.4
    0.5
    V
    DS
    [V]
    I
    D
    [A]
    7 Typ. transfer characteristics
    I
    D
    =f(V
    GS
    ); |V
    DS
    |>2|I
    D
    |R
    DS(on)max
    8 Typ. forward transconductance
    g
    fs
    =f(I
    D
    );
    T
    j
    =25 °C
    0.6
    0.4
    0.35
    0.5
    0.3
    0.4
    0.25
    0.3
    g
    fs
    [S]
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    I
    D
    [A]
    0.2
    0.15
    0.2
    0.1
    0.1
    0.05
    0
    0
    0.00
    0.10
    0.20
    0.30
    0.40
    V
    GS
    [V]
    I
    D
    [A]
    Rev. 2.86
    page 5
    2012-04-17

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