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    BSS138NH6327XTSA2 参数 Datasheet PDF下载

    BSS138NH6327XTSA2图片预览
    型号： BSS138NH6327XTSA2
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3]
    分类和应用： 光电二极管晶体管
    文件页数/大小： 9 页 / 456 K
    品牌： INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
     浏览型号BSS138NH6327XTSA2的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BSS138NH6327XTSA2的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BSS138NH6327XTSA2的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BSS138NH6327XTSA2的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BSS138NH6327XTSA2的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BSS138NH6327XTSA2的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BSS138NH6327XTSA2的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BSS138NH6327XTSA2的Datasheet PDF文件第9页  
    BSS138N
    SIPMOS Small-Signal-Transistor
    Features
    • N-channel
    • Enhancement mode
    • Logic level
    • dv /dt rated
    • Pb-free lead-plating; RoHS compliant
    • Qualified according to AEC Q101
    • Halogen free according to IEC61249-2-21
    ®
    Product Summary
    V
    DS
    R
    DS(on),max
    I
    D
    60
    3.5
    0.23
    V
    Ω
    A
    PG-SOT-23
    Type
    BSS138N
    BSS138N
    Parameter
    Package
    PG-SOT-23
    PG-SOT-23
    Tape and Reel
    H6327: 3000
    H6433: 10000
    Marking
    SKs
    SKs
    Value
    0.23
    0.18
    0.92
    Unit
    A
    Symbol Conditions
    I
    D
    T
    A
    =25 °C
    T
    A
    =70 °C
    Continuous drain current
    Pulsed drain current
    I
    D,pulse
    T
    A
    =25 °C
    I
    D
    =0.23 A,
    V
    DS
    =48 V,
    di /dt =200 A/µs,
    T
    j,max
    =150 °C
    Reverse diode dv /dt
    dv /dt
    6
    kV/µs
    Gate source voltage
    ESD sensitivity
    Power dissipation
    Operating and storage temperature
    IEC climatic category; DIN IEC 68-1
    V
    GS
    JESD22-A114 (HBM)
    P
    tot
    T
    j
    ,
    T
    stg
    T
    A
    =25 °C
    ±20
    Class 0 (<250V)
    0.36
    -55 ... 150
    55/150/56
    V
    W
    °C
    Rev. 2.86
    page 1
    2012-04-17

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